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以采用ThinSOT封装的低功耗电源路径(PowerPath)控制器作为一个理想二极管——LTC4412
1
《电源技术应用》
2002年第12期7-7,共1页
LTC4412是一个低功耗电源路径控制器,能控制外部P沟道场效麻管以构成一个近乎理想的二极管功能,可用于电源转接或负载分配。当导通的时候,在场效应管上的压降与可比较的肖特基二极管传统指数曲线能低至10mV。这允许对多路电源进行高效的...
LTC4412是一个低功耗电源路径控制器,能控制外部P沟道场效麻管以构成一个近乎理想的二极管功能,可用于电源转接或负载分配。当导通的时候,在场效应管上的压降与可比较的肖特基二极管传统指数曲线能低至10mV。这允许对多路电源进行高效的"或"操作,能延长电池的使用寿命和降低芯片自身的温度。
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关键词
THINSOT封装
低功耗电源
控制器
二极管
ltc4412
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职称材料
LTC4412:低损耗ThinSOT封装Power-Path控制器
2
《世界电子元器件》
2002年第8期31-31,共1页
Linear Technology公司低损耗PowerPath控制器器件--LTC4412可控制一个外部P沟道MOSFET来为电源切换或负载均衡,提供理想的二极管功能。与肖特基二极管的指数曲线相比,导通时MOSFET上的电压降低至10mV。
关键词
ltc4412
封装
控制器
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职称材料
题名
以采用ThinSOT封装的低功耗电源路径(PowerPath)控制器作为一个理想二极管——LTC4412
1
出处
《电源技术应用》
2002年第12期7-7,共1页
文摘
LTC4412是一个低功耗电源路径控制器,能控制外部P沟道场效麻管以构成一个近乎理想的二极管功能,可用于电源转接或负载分配。当导通的时候,在场效应管上的压降与可比较的肖特基二极管传统指数曲线能低至10mV。这允许对多路电源进行高效的"或"操作,能延长电池的使用寿命和降低芯片自身的温度。
关键词
THINSOT封装
低功耗电源
控制器
二极管
ltc4412
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
LTC4412:低损耗ThinSOT封装Power-Path控制器
2
出处
《世界电子元器件》
2002年第8期31-31,共1页
文摘
Linear Technology公司低损耗PowerPath控制器器件--LTC4412可控制一个外部P沟道MOSFET来为电源切换或负载均衡,提供理想的二极管功能。与肖特基二极管的指数曲线相比,导通时MOSFET上的电压降低至10mV。
关键词
ltc4412
封装
控制器
分类号
TM571 [电气工程—电器]
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1
以采用ThinSOT封装的低功耗电源路径(PowerPath)控制器作为一个理想二极管——LTC4412
《电源技术应用》
2002
0
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职称材料
2
LTC4412:低损耗ThinSOT封装Power-Path控制器
《世界电子元器件》
2002
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