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横向槽栅双极晶体管的闩锁特性研究(英文)
被引量:
1
1
作者
蔡军
JohnnyK.O.Sin
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期481-486,共6页
提出一种新颖的横向槽栅双极晶体管( L T G B T) 结构.此结构可明显改善器件的闩锁效应.通过数值模拟,比较了 L T G B T 结构与 L I G B T 结构的闩锁电流密度大小,讨论了 L T G B T 结构闩锁电流密度与该结...
提出一种新颖的横向槽栅双极晶体管( L T G B T) 结构.此结构可明显改善器件的闩锁效应.通过数值模拟,比较了 L T G B T 结构与 L I G B T 结构的闩锁电流密度大小,讨论了 L T G B T 结构闩锁电流密度与该结构的n + 和p + 阴极区域设计的关系.在相同5 微米n + 阴极长度下, L T G B T 结构闩锁电流密度比 L I G B T 结构提高了7 .7 倍, L T G B T结构闩锁电流密度大小随槽栅与p + 阴极之间距离减小而增大.
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关键词
闩锁效应
槽栅
功率晶体管
ltgbt
双极晶体管
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职称材料
题名
横向槽栅双极晶体管的闩锁特性研究(英文)
被引量:
1
1
作者
蔡军
JohnnyK.O.Sin
机构
中国科学技术大学基础物理中心
香港科学技术大学电机电子工程系
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期481-486,共6页
文摘
提出一种新颖的横向槽栅双极晶体管( L T G B T) 结构.此结构可明显改善器件的闩锁效应.通过数值模拟,比较了 L T G B T 结构与 L I G B T 结构的闩锁电流密度大小,讨论了 L T G B T 结构闩锁电流密度与该结构的n + 和p + 阴极区域设计的关系.在相同5 微米n + 阴极长度下, L T G B T 结构闩锁电流密度比 L I G B T 结构提高了7 .7 倍, L T G B T结构闩锁电流密度大小随槽栅与p + 阴极之间距离减小而增大.
关键词
闩锁效应
槽栅
功率晶体管
ltgbt
双极晶体管
Keywords
latch up effect, trench gate, power transistor
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
横向槽栅双极晶体管的闩锁特性研究(英文)
蔡军
JohnnyK.O.Sin
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
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