La_(0.875)Na_(0.125)MnO_3外延膜的制备及CMR效应

通过射频磁控溅射法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功地外延生长了膜厚为90.8nm的La0.875Na0.125MnO3薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征。结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,具有良好的(100)外延取向和光滑表面。居里温度TC=275K。在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变。此材料呈现出一种典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的。薄膜的电阻率随温度变化的ρ-T曲线出现双峰。高温电阻峰TP1出现在居里温度附近,来源于铁磁金属体向顺磁绝缘体的转变。而低温电阻峰TP2出现在T=178K,是由于相分离引起的。在4T强磁场下,相分离现象消失。另外,薄膜的磁电阻曲线也呈现出双峰特征。

La0.75Na0.25MnO3外延膜的制备及磁电特性

通过射频磁控溅射在单晶LaAlO_3(100)衬底上生长了膜厚为120nm的La_(0.75)Na_(0.25)MnO_3外延膜.通过X射线衍射仪、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征.结果表明,薄膜为(100)取向外延膜.居里温度Tc=270K,在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变.此材料呈现出典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的.在室温附近,此材料在IT磁场下,其磁电阻极大值为40.3%.80K≤T≤210K时,其输运机制为电子-电子散射,电阻率满足p=p0+p1T^2+p2T^5;220K≤T≤T_(MI)时,其输运机制满足相分离渗流模型;T>T_(MI)时,其输运机制满足小极化子模型.

La_(0.75)Na_(0.25)MnO_3外延膜的制备及电流诱导效应

通过射频磁控溅射,在单晶LaAl O3(100)衬底上生长了膜厚为120 nm的La0.75Na0.25MnO3外延膜.应用X射线衍射仪、直流四探针法对其结构及电流诱导效应进行了系统研究.X射线结果表明:薄膜具有赝立方钙钛矿结构,为(100)取向外延膜.电阻率与温度关系表明La0.75Na0.25MnO3薄膜在275 K附近发生金属与绝缘体转变.电流在0.5～4 mA范围内,薄膜的峰值电阻率随电流增大而减小,在4 mA下获得了15.9%的峰值电阻率变化,并应用相分离理论给出了合理的解释.

钙钛矿La_(0.75)Na_(0.25)MnO_3外延膜的制备及磁电特性研究

目的研究单价碱金属Na替代对钙钛矿La MnO3结构及磁电特性的影响。方法通过射频磁控溅射在单晶LaAlO3(100)衬底上生长了膜厚为120 nm的La0.75Na0.25MnO3外延膜,用X射线衍射仪、原子力和超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征。结果结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,具有良好的单晶外延结构和岛状生长模式。居里温度TC=270 K,在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变。此材料呈现出一种典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的。在1 T磁场下,磁电阻极大值为40.3%。结论 LaNaMnO外延膜的制备为CMR薄膜的低场和室温条件下的广泛应用提供了潜在的价值。