La_2Cu_(1-x)Zn_xO_(4+δ)低频内耗研究

对La2Cu1-xZnxO4+δ(0≤x≤0.2)系列样品的低频内耗和模量进行了研究.发现0≤x≤0.005时样品在低温存在两个弛豫内耗峰,分别是由样品中两种状态的额外氧跳跃弛豫引起的;当0.05≤x≤0.2时样品只存在一个内耗峰,该内耗峰可归于由共价氧对的额外氧跳跃引起,其峰位随掺杂量的增加向高温移动.不同掺杂量样品的模量曲线揭示高温处的模量反常对应着体系的正交-四方结构转变;此相变发生的温度随掺杂量的增加向高温移动.

厚膜型La_2Ni_xCu_(1-x)O_4复合氧化物的氧敏性能研究

采用甘氨酸-硝酸盐法合成了La2NixCu1-xO4（x=0～0．5）复合氧化物，制成了厚膜型元件，研究了烧结温度、膜厚、介质粉含量等对材料氧敏性能的影响。测试结果表明：700℃烧结、膜厚为80μm、介质粉含量为5％的厚膜型La2NixCu1-xO4的氧敏性能最优，400℃时的灵敏度可以达到7．1。

La_2Co_xCu_(1-x)O_4(x=0～0.5)氧敏性能研究

将La2CoxCu1-xO4（x=0-0.5）复合氧化物做成了厚膜型气敏器件,研究了烧结温度、膜厚对材料氧敏性能的影响,结果表明：800℃烧结、膜厚为80μm时所制得的厚膜型La2Co0.1Cu0.9O4在400~700℃测试区间内的氧敏性能最优,在400℃时的灵敏度最大,可以达到6。

溶胶-凝胶法制备Na_(1/2)La_(1/2)Cu_3Ti_4O_(12)粉体及陶瓷的结构与巨介电性研究

采用溶胶-凝胶法制备Na_(1/2)La_(1/2)Cu_3Ti_4O_(12)(NLCTO)粉体和陶瓷样品,探讨不同Ti^(4+)浓度、pH值和水含量对NLCTO粉体和陶瓷结构的影响。结果表明在Ti^(4+)浓度为0.75~1.0mol/L,pH=0.3~1.3,[H_2O]/[Ti^(4+)]=11∶1的条件下制备的干凝胶在800℃预烧后,粉体分散程度较好,颗粒均匀。在获得优越NLCTO粉体基础上制备的陶瓷材料介电常数约可达到1.9×10~4以上,介电损耗降低到0.039。

溶胶-凝胶法合成La_2Ni_xCo_(1-x)O_4及其在CH_4/CO_2重整反应中的应用

采用溶胶-凝胶法合成了一系列的钙钛矿型复合氧化物La2NixCo1-xO4(x=0.2,0.4,0.6,0.8),采用XRD、TPR作为表征手段,研究了其在CH4/CO2重整反应中的应用.实验结果表明:经800℃焙烧后,钙钛矿型复合氧化物的结构已形成,而经1 100℃焙烧后,结构已部分分解.在CH4/CO2重整反应中,x=0.2时,由于Ni含量较少,使得甲烷转化率比较低.随着x的增加,Ni含量增加,甲烷转化率提高,表明在CH4/CO2重整反应中,催化剂的Ni含量对催化活性的影响非常明显,而且催化剂活性都明显好于单纯的含Co的La2CoO4催化剂,这与文献[1]的结论一致.

Msbauer study on Sn-doped (La_(1-x)Sr_x)Cu_(1-xSn_xO_4superconductors under a new concept

119Sn Mossbauer research is carried out on (La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4( x = 0.075 and 0.110) superconductors which are designed under a new concept. The Mossbauer spectra results show that Sn occupies Cu position in Sn4+ state, and there is no Sn2+ ion occupying La position. The local lattice deformation near Sn4+ site is small, but displays an increasing tendency with Sn doping. For La2CuO4 matrix, the simultaneous dopings of Sr/Sn induce holes and electrons on CuO2 layer in a new mechanism which influences superconductivity. Under a new mechanism of extra oxygen, the ex-tra oxygen effect of Sn-doping on superconductivity is discussed.

溶胶-凝胶法制备NLCTO陶瓷的结构和介电性能

采用溶胶-凝胶法制备Na_(1/2)La_(1/2)Cu_3Ti_4O_(12)(NLCTO)陶瓷,并对烧结温度对其微观结构和介电性能的影响进行研究。实验结果表明,在1085℃和1095℃烧结5 h后,NLCTO陶瓷表现出高的密度,均匀的显微组织,高的介电常数(1.0~2.0×10~4)和低的介电损耗,特别是在烧结温度为1095℃时,陶瓷的介电损耗约0.044,且拥有好的频率稳定性。