La_(2-x)Sr_xCuO_4单晶膜的热电势与电阻率

测量了高质量的单晶膜La2 -xSrxCuO4(x =0 10 ,0 2 0 ,0 2 5 )的电阻率和热电势 .La1 9Sr0 1 CuO4电阻率呈现S型行为 ,表明存在一个赝能隙 ,在赝能隙态可以用公式 ρ =ρ0 +βexp(-Δ T)很好地拟合 .热电势的测量表明 ,在超导转变前样品的残余热电势值非常小 ,这是膜的高质量引起的 ,三个样品在 2 0 0K以上都出现一个宽峰 ,对其进行了一些理论模型分析 ,并与电子型超导体热电势结果作了比较 .

La_(2-x)Sr_xCuO_4(0.03

系统地研究了高质量La2-xSrxCuO4单晶（x=0.03,0.05,0.07,0.1,0.12,0.17）的热电势S随掺杂浓度的变化.在所研究的掺杂范围内,热电势S保持正值.随着Sr含量x的增加,室温热电势S（290K）逐渐降低.报道了La系214相中空穴浓度和室温热电势S（290K）之间关系的经验公式.在金属扩散模型的理论基础上对实验数据进行了讨论.

磁场对La_(2-x)Sr_xCuO_4单晶热导的影响研究

报道了系列欠掺杂La2-xSrxCuO4(x=0·063,0·070,0·090,0·110,0·125)单晶的零场和加磁场情况下ab面和c方向的热导率与温度的关系曲线,测量温度范围从2到45K.研究发现ab面和c方向的热导率都受到磁场的压制.而且在磁场的作用下,热导压制率随温度变化的关系和场致反铁磁有序的增强与温度的依赖关系有高度相似性.认为磁场引起的ab面的热导压制主要是电子热导的变化所致,而c方向的压制则可能主要来源于声子热导的变化,它们均可能与磁场诱导下欠掺杂La2-xSrxCuO4中的某种电荷有序和磁有序的增强密切相关.