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LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布
1
作者
黄庆捷
孔海宽
+6 位作者
李军
高磊
葛文伟
张怀金
胡小波
江怀东
王继扬
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期184-186,共3页
采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验。实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同。根据腐蚀坑可以判定,其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向。关于腐蚀坑...
采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验。实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同。根据腐蚀坑可以判定,其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向。关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量。
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关键词
LGS晶体
化学腐蚀
缺陷分布
提拉法
磷酸
晶体生长
硅酸镓镧
压电材料
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职称材料
题名
LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布
1
作者
黄庆捷
孔海宽
李军
高磊
葛文伟
张怀金
胡小波
江怀东
王继扬
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
山东中晶光电子公司
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期184-186,共3页
基金
国家基础研究发展规划基金资助项目(G1998061403)
文摘
采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验。实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同。根据腐蚀坑可以判定,其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向。关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量。
关键词
LGS晶体
化学腐蚀
缺陷分布
提拉法
磷酸
晶体生长
硅酸镓镧
压电材料
Keywords
la3ga5sio14g
chemical etching
defects
czochralski method
分类号
O78 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布
黄庆捷
孔海宽
李军
高磊
葛文伟
张怀金
胡小波
江怀东
王继扬
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
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