期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布
1
作者 黄庆捷 孔海宽 +6 位作者 李军 高磊 葛文伟 张怀金 胡小波 江怀东 王继扬 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期184-186,共3页
采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验。实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同。根据腐蚀坑可以判定,其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向。关于腐蚀坑... 采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验。实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同。根据腐蚀坑可以判定,其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向。关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量。 展开更多
关键词 LGS晶体 化学腐蚀 缺陷分布 提拉法 磷酸 晶体生长 硅酸镓镧 压电材料
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部