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LaAlO3∶Eu3+的绿色化学合成及光谱性质 被引量:1
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作者 王晓丽 杨智 +4 位作者 何锋 李永明 高振华 黄艳 陶冶 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期172-177,共6页
提出一种合成LaAlO3的新方法,该方法操作简单、成本低、无污染。将化学计量比的反应物La(OH)3/La2O3和Al(OH)3放入反应釜中,于220℃温度下水热活化处理,快速加热至900℃反应即可得到LaAlO3。XRD结果表明,所合成的LaAlO3为三方晶系。PL... 提出一种合成LaAlO3的新方法,该方法操作简单、成本低、无污染。将化学计量比的反应物La(OH)3/La2O3和Al(OH)3放入反应釜中,于220℃温度下水热活化处理,快速加热至900℃反应即可得到LaAlO3。XRD结果表明,所合成的LaAlO3为三方晶系。PL结果表明,所合成的LaAlO3∶Eu3+的主要发射为Eu3+的5D0→7F1磁偶极跃迁发射和5D0→7F2电偶极跃迁发射,红橙比随着Eu3+离子掺杂量的增加而变大。在VUV-UV激发光谱中,LaAlO3∶Eu3+位于VUV光谱区的基质吸收很弱,而位于~315 nm的O2--Eu3+的电荷迁移跃迁带(CT)则较强。 展开更多
关键词 laalo3∶Eu3+ 绿色化学合成 X射线粉末衍射 发光性质
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碳铵共沉淀法合成LaAlO3粉体材料的研究
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作者 万作波 沈雷军 +1 位作者 周永勃 赵增祺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A10期4009-4011,共3页
用碳铵共沉淀法制备LaAlO3粉体前驱体,1200℃下烧结,可得到性能稳定的LaAlO3粉体。经X射线衍射分析产物为单相,属具有钙钛矿结构的三角晶系,其XRD图谱与JCPDS卡84-0848完全一致。采用库尔特LS-230粒度分析仪对共沉淀法和高温固相法... 用碳铵共沉淀法制备LaAlO3粉体前驱体,1200℃下烧结,可得到性能稳定的LaAlO3粉体。经X射线衍射分析产物为单相,属具有钙钛矿结构的三角晶系,其XRD图谱与JCPDS卡84-0848完全一致。采用库尔特LS-230粒度分析仪对共沉淀法和高温固相法合成的两种粉末样品进行粒度分析,发现共沉淀法合成的样品粒度细且分布均匀。分析了上述两种方法合成的粉末样品的SEM照片,发现共沉淀法不仅能降低合成温度,而且可使生成产物结晶均匀,对细化粉体晶粒也有较大作用。 展开更多
关键词 laalo3 合成 共沉淀法
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Oxidative coupling of methane over LaAlO3 perovskite catalysts prepared by a co-precipitation method: Effect of co-precipitation pH value 被引量:4
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作者 Yujin Sim Jihoon Yoo +1 位作者 Jeong-Myeong Ha Ji Chul Jung 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第8期1-8,I0001,共9页
Oxidative coupling of methane(OCM) was conducted over LaAlO3X catalysts that were prepared by a coprecipitation method using different co-precipitation pH values(X = 6–10). The aim is to investigate the effect of p H... Oxidative coupling of methane(OCM) was conducted over LaAlO3X catalysts that were prepared by a coprecipitation method using different co-precipitation pH values(X = 6–10). The aim is to investigate the effect of p H values on the catalytic activity of La AlO3 catalysts in this reaction. The results showed that the co-precipitation pH value affected greatly on the formation of chemical species of precipitate precursors in the co-precipitation step, leading to different phases of the finally obtained LaAlO3 catalysts.When the co-precipitation pH value increased up to 8, the lanthanum-related phases such as La2 O3 and La(OH)3 were gradually formed as by-products, preventing the formation of LaAlO3 perovskite crystalline structure and facilitating the formation of oxygen vacancies on catalyst surface. However, at pH value of9 or higher, the lanthanum content in the precipitate precursor was increased greatly. Not LaAlO3 perovskite but lanthanum-related phases were developed as main phases, reducing their catalytic activities in this reaction. Among LaAlO3 catalysts, the one prepared at pH = 8 showed the highest C2 yield due to its well-developed oxygen vacancies and electrophilic lattice oxygen. Therefore, the co-precipitation pH value strongly affected the LaAlO3 catalyst activity in OCM reaction. A precious pH control should be required to prepare various perovskite catalysts for the OCM. 展开更多
关键词 laalo3 PEROVSKITE OXIDATIVE coupling of METHANE CO-PRECIPITATION pH value
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钙钛矿型光催化剂LaAlO3制备及光催化性能研究 被引量:4
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作者 廉帅唯 王旭东 +3 位作者 郭利妍 吕永涛 李永进 王磊 《水处理技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期48-52,56,共6页
采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备了钙钛矿型LaAlO3催化剂,利用激光粒度分布仪、扫描电子显微镜、X射线粉末衍射仪等对催化剂的粒径大小及形貌特征进行了表征;以富里酸作为典型污染物,研究紫外光照射下LaAlO3对该污染物的降解性能,考察不同反... 采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备了钙钛矿型LaAlO3催化剂,利用激光粒度分布仪、扫描电子显微镜、X射线粉末衍射仪等对催化剂的粒径大小及形貌特征进行了表征;以富里酸作为典型污染物,研究紫外光照射下LaAlO3对该污染物的降解性能,考察不同反应条件污染物的去除效果及催化剂的再生性能。结果表明,自制催化剂平均粒径为0.1883 mm,颗粒表面呈多孔状,结晶度高且较为纯净。催化剂投加量0.3 g/L、曝气量0.8 L/min且紫外灯功率30W为优化反应条件。在该条件下反应240 min后,UV254、TOC去除率分别为98.7%、38.9%;LaAlO3催化降解罗丹明B和亚甲基蓝溶液模拟废水,染料脱色率分别达到95.04%和71.45%。 展开更多
关键词 laalo3催化剂 紫外光 降解 富里酸 罗丹明B 亚甲基蓝 染料废水
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0.6CaxSr1-xTiO3-0.4LaAlO3(x=0.6~0.9)微波介电陶瓷的微观结构及介电性能研究
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作者 贾希彬 衣峻志 +3 位作者 刘利 徐越 赵萍 王雪 《齐鲁工业大学学报》 2020年第1期6-12,共7页
采用固相反应法制备0.6CaxSr1-xTiO3-0.4LaAlO3(x=0.6~0.9)微波介质陶瓷,通过DSC确定了CaxSr1-xTiO3(x=0.6~0.9)和LaAlO 3的预烧温度,结果表明在1150℃保温4 h可得到纯CaxSr1-xTiO3相,在1250℃[JP2]保温4 h可得到纯LaAlO3相,将CaxSr1-xT... 采用固相反应法制备0.6CaxSr1-xTiO3-0.4LaAlO3(x=0.6~0.9)微波介质陶瓷,通过DSC确定了CaxSr1-xTiO3(x=0.6~0.9)和LaAlO 3的预烧温度,结果表明在1150℃保温4 h可得到纯CaxSr1-xTiO3相,在1250℃[JP2]保温4 h可得到纯LaAlO3相,将CaxSr1-xTiO3与LaAlO3按化学计量式0.6CaxSr1-xTiO3-0.4LaAlO3(x=[JP]0.6~0.9)称料并二次球磨,在1400℃、1450℃、1500℃下进行煅烧。通过XRD、白光干涉仪和矢量网络分析仪研究了四组陶瓷样品的微观组织形貌和介电性能,其结果显示:当0.6CaxSr1-xTiO3-0.4LaAlO3(x=0.90)时,烧结温度为1450℃并保温4 h可以制备出烧结致密,结构均一的单相陶瓷样品,并展示出优异的介电性能;εr=40,Q×f=25295 GHz,τf=16 ppm/℃。 展开更多
关键词 固相反应法 CaxSr1-xTiO3 laalo3 微波介电陶瓷
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Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition
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作者 相文峰 吕惠宾 +3 位作者 颜雷 何萌 周岳亮 陈正豪 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第2期467-469,共3页
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the... We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 展开更多
关键词 AMORPHOUS laalo3 THIN-FILMS OXIDATION SILICON SI(100)
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Structure Stability of LaAlO3 Thin Films on Si Substrates
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作者 何萌 刘国珍 +4 位作者 相文峰 吕惠宾 金奎娟 周岳亮 杨国桢 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第9期2671-2674,共4页
一系列非结晶、单人赛水晶的 LaAlO3 (老挝人) 薄榆树被激光制作在免职的各种各样的条件下面的 Si 底层上的分子横梁的取向附生技术。老挝人的电影的结构稳定性在高温度退火了,各种各样的 ambients 被 X 光衍射以及高分辨率的传播选举... 一系列非结晶、单人赛水晶的 LaAlO3 (老挝人) 薄榆树被激光制作在免职的各种各样的条件下面的 Si 底层上的分子横梁的取向附生技术。老挝人的电影的结构稳定性在高温度退火了,各种各样的 ambients 被 X 光衍射以及高分辨率的传播选举显微镜学学习。结果证明取向附生的老挝人的电影有很好的稳定性,并且非结晶的老挝人的薄电影的结构强烈取决于免职退火 andpost 的条件。结果表明老挝人的作文的形成为老挝人的薄榆树的结构稳定性在免职期间是很重要的。 展开更多
关键词 laalo3 稳定性 硅元素 薄膜
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Field-Effect Transistor Based on Si with LaAlO3-δ as the Source and Drain
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作者 杨芳 金奎娟 +2 位作者 吕惠宾 何萌 杨国桢 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2009年第7期277-279,共3页
N 类型 LaAlO3?薄电影取向附生地在 p 类型 Si 底层上被种。一只改进模式地效果晶体管与氧被构造缺乏的 LaAlO3 吗?作为来源和排水管, p 类型 Si 作为半导体的隧道,和 SiO2 作为门绝缘体分别地。有地效果晶体管特征的典型当前电压... N 类型 LaAlO3?薄电影取向附生地在 p 类型 Si 底层上被种。一只改进模式地效果晶体管与氧被构造缺乏的 LaAlO3 吗?作为来源和排水管, p 类型 Si 作为半导体的隧道,和 SiO2 作为门绝缘体分别地。有地效果晶体管特征的典型当前电压的行为被观察。开/关比率在 10V 的门电压到达 14,地效果活动性是 10 厘米 2/V 吗?? 展开更多
关键词 场效应晶体管 laalo3 硅衬底 钙钛矿氧化物 硅半导体 外延生长 SiO2 电流电压
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Fabrication of LaAlO3 film by sol-gel process with corresponding inorganic 被引量:1
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作者 殷明志 汪敏强 姚熹 《Journal of Zhejiang University Science》 EI CSCD 2004年第6期696-698,共3页
Well-cubic perovskite lanthanum aluminate (LaAl03) film on (110) silicon substrate was fabricated by sol-gel method with corresponding inorganic salts. Lanthanum acetate and aluminum acetate glacial acetic acid soluti... Well-cubic perovskite lanthanum aluminate (LaAl03) film on (110) silicon substrate was fabricated by sol-gel method with corresponding inorganic salts. Lanthanum acetate and aluminum acetate glacial acetic acid solutions were prepared via ligand exchange starting from lanthanum nitrate hexahydrate and aluminum nitrate hexahydrate after being refluxed. (CH3CO)2O removed nitrates and the crystallized H2O completely, acetylacetone (AcAc) was partially bidentated with metallic ion of the metallic acetates and formed La(OAc)3-x(AcAc)x, which were hydrolyzed into La(AcAc)3-x(OH)x by adding 10 ml 0.4% methyl cellulose (MCL) solution. The La(AcAc)3-x(OH)x, polymerizing and combining with MCL,formed the LaA1O3 sol precursor with heteropolymeric structure and formed film easily. The epitaxial LaA1O3 film on Si(110) substrate was crystallized after being annealed in thermal annealing furnace for 650-750 ℃/30 min. The morphologies and microstructures were characterized. The refractive index of the LAO film was 1.942 to 2.007; the dielectric constant and the dissipation factors were estimated to be 23-26 and 2.1×10^-4-2.4x10^-4 respectively. 展开更多
关键词 溶胶凝胶方法 LaA1O3薄膜 电容率 集成电路 电介质
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高介电常数的栅极电介质LaAlO_3薄膜的性能研究 被引量:16
10
作者 王东生 于涛 +3 位作者 游彪 夏奕东 胡安 刘治国 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期229-232,共4页
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介... 在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料. 展开更多
关键词 栅极电介质材料 介电常数 laalo3薄膜 铝酸镧 半导体集成电路
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纳米LaAlO_3粉体的制备与烧结 被引量:4
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作者 李蔚 左名文 +3 位作者 施剑林 王依琳 阚艳梅 汪霖 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期657-660,共4页
对共沉淀法制备纳米LaAlO_3粉体及烧结进行了初步研究.采用La(NO_3)_3与Al(NO_3)_3为原料,控制pH=9左右,在室温下完成共沉淀,前驱体经800℃/2h的条件下煅烧后可获得纳米LaAlO_3粉体,粉体颗粒约50nm.无压烧结的结果表明,这种纳米LaAlO_3... 对共沉淀法制备纳米LaAlO_3粉体及烧结进行了初步研究.采用La(NO_3)_3与Al(NO_3)_3为原料,控制pH=9左右,在室温下完成共沉淀,前驱体经800℃/2h的条件下煅烧后可获得纳米LaAlO_3粉体,粉体颗粒约50nm.无压烧结的结果表明,这种纳米LaAlO_3粉体的烧结性能较好,通过选择适当的条件,在1500℃下烧结可获得密度达6.2g/cm^3的LaAlO_3材料. 展开更多
关键词 laalo3 纳米 粉体 烧结
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用湿化学法制备LaAlO_3微粒的研究 被引量:9
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作者 李建 刘存业 姚永泉 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期504-508,共5页
以Al_2O_3超微颗粒为基体材料,用湿化学法制备了粒径在150nm左右的LaAlO_3微粒。经XRD分析,在焙烧过程中,800℃时开始形成La(OH)_3;在1000℃时物相主要为La_2O_3,并残留有La(OH... 以Al_2O_3超微颗粒为基体材料,用湿化学法制备了粒径在150nm左右的LaAlO_3微粒。经XRD分析,在焙烧过程中,800℃时开始形成La(OH)_3;在1000℃时物相主要为La_2O_3,并残留有La(OH)_3;1200℃时生成LaAlO_3。用TEM的明场象和暗场象技术分析了不同温度下微粒形态以及平均粒径和分布,并用EDX确定了各温度下微粒的元素成分。探讨了湿化学法制备LaAl_O_3微粒在焙烧过程中的相变。 展开更多
关键词 氧化镧 氧化铝 湿化学法 laalo3
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铝酸镧超细粉体的制备方法 被引量:3
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作者 田丁 赵艳民 +3 位作者 吴晓琳 王修慧 高宏 翟玉春 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期377-380,共4页
综述了目前常用的制备铝酸镧粉体的各种方法之工艺过程、特点及其产物的性能特征。分析指出:纯度和粒度是粉体最重要的两个性能指标;降低合成温度、简化工艺过程是今后制备技术发展的趋势;金属醇盐可能成为获得高纯度产物最有应用前景... 综述了目前常用的制备铝酸镧粉体的各种方法之工艺过程、特点及其产物的性能特征。分析指出:纯度和粒度是粉体最重要的两个性能指标;降低合成温度、简化工艺过程是今后制备技术发展的趋势;金属醇盐可能成为获得高纯度产物最有应用前景的前驱物,醇盐水解法有望成为最佳的制备工艺路线。 展开更多
关键词 laalo3 超微粉体 高性能 制备方法
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纯LaAlO_3和Ce^(3+)∶LaAlO_3单晶的吸收谱和透过谱研究 被引量:4
14
作者 曾雄辉 赵广军 +3 位作者 杭寅 张连翰 王静雅 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期403-406,共4页
本文采用中频感应提拉法成功生长了LaAlO3 和Ce3 + ∶LaAlO3 晶体。沿生长方向即a轴方向切割、抛光后得到实验样品。测试了氢气退火前后纯LaAlO3 和Ce3 + ∶LaAlO3 从 190nm到 2 5 0 0nm的吸收谱和透过谱。测试结果表明 :纯LaAlO3 晶体... 本文采用中频感应提拉法成功生长了LaAlO3 和Ce3 + ∶LaAlO3 晶体。沿生长方向即a轴方向切割、抛光后得到实验样品。测试了氢气退火前后纯LaAlO3 和Ce3 + ∶LaAlO3 从 190nm到 2 5 0 0nm的吸收谱和透过谱。测试结果表明 :纯LaAlO3 晶体在 196~ 2 2 0nm处出现宽带吸收 ,氢气退火后此一波段的吸收系数明显降低 ;未退火的Ce∶LaAlO3晶体在 196~ 2 0 9nm ,2 4 6nm ,314nm出现明显的吸收波段 ,氢气退火后其吸收谱发生显著变化 ,在 198,2 0 6 ,2 14 ,2 4 6和 314nm处出现对应于Ce3 + 的 4f- 5d的跃迁吸收 ;Ce∶LaAlO3 晶体较之纯LaAlO3 晶体在红外区的透过率要高 ;氢气退火后 ,Ce∶LaAlO3 晶体和纯LaAlO3 展开更多
关键词 laalo3 提拉法 吸收光谱 透过光谱 透过率 生长工艺
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高温超导薄膜衬底材料LaAlO_3单晶的超光滑表面抛光研究 被引量:5
15
作者 张连翰 孙敦陆 +1 位作者 钱小波 杭寅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期121-123,共3页
本文以化学机械抛光为手段 ,以原子力显微镜 (AFM)为工具 ,对高温超导薄膜衬底材料LaAlO3 单晶的超光滑表面抛光进行研究。既观察到了由传统光学表面向超光滑表面过渡的过程 ,又观察到了超光滑表面加工的结果—表面的本征化。
关键词 高温超导薄膜 衬底材料 laalo3单晶 超光滑表面抛光 研究 铝酸镧单晶
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H_3BO_3或SiO_2掺杂对CTLA陶瓷微波介电性能的影响 被引量:3
16
作者 刘林 方有维 +3 位作者 庄文东 唐斌 周晓华 张树人 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第5期763-767,共5页
研究了H3BO3或SiO2掺杂(质量分数为0.02%~2.00%)对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响。结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度从1 380℃降至1 340℃,2.00%以内的H3... 研究了H3BO3或SiO2掺杂(质量分数为0.02%~2.00%)对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响。结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度从1 380℃降至1 340℃,2.00%以内的H3BO3或SiO2掺杂不会改变陶瓷的物相组成。在H3BO3掺杂质量分数为2.00%时,样品的微观形貌发生了很大的改变,烧成的陶瓷稀疏多孔,密度急剧下降。研究表明,H3BO3或SiO2掺杂对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的介电常数εr及谐振频率温度系数τf没有很大的影响,但降低了陶瓷的品质因数Q。当质量分数为0.02%时,H3BO3或SiO2掺杂后的0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的微波介电性能最佳:H3BO3掺杂的陶瓷样品的εr=41.65,品质因数与频率之积Q×f=48 565GHz,τf≈-1μ℃-1;SiO2掺杂的陶瓷样品的εr=41.48,Q×f=39 491GHz,τf≈-1μ℃-1。 展开更多
关键词 腔体滤波器 微波介质陶瓷 频率温度系数 CATIO3 laalo3
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LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜的生长及结构分析 被引量:4
17
作者 郝兰众 李燕 +3 位作者 邓宏 刘云杰 姬洪 张鹰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期346-347,共2页
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3 单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/Ba TiO3 超晶格薄膜。在超晶格薄膜生长过程中,采用高能电子衍射技术(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3 超晶格薄膜的生长过程以及平面晶格变化进行了分析。通过... 采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3 单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/Ba TiO3 超晶格薄膜。在超晶格薄膜生长过程中,采用高能电子衍射技术(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3 超晶格薄膜的生长过程以及平面晶格变化进行了分析。通过对超晶格薄膜中各层RHEED衍射条纹的分析计算发现超晶格薄膜存在一个临界厚度,其值约为 17nm,当超晶格薄膜的厚度小于该临界厚度时,晶格畸变在逐渐增加,当厚度超过该临界厚度时,晶格畸变因弛豫现象的产生而逐渐减小。超晶格薄膜中不同层的RHEED衍射条纹的差别说明了由于不同应力的作用使超晶格薄膜中LAO层和BTO层表面粗糙度不同。 展开更多
关键词 laalo3/BaTiO3 超品格薄膜 RHEED 临界厚度
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高品质LaAlO_3-SrTiO_3系陶瓷微波介电性能的研究 被引量:5
18
作者 黄春娥 沈春英 丘泰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2057-2061,共5页
采用固相反应法制备了高品质(1-x)LaAlO3-xSrTiO3(x=0.54~0.63)系列微波介质陶瓷,研究了SrTiO3含量对LaAlO3-SrTiO3系陶瓷结构与性能的影响。结果表明:当x取0.54~0.63时,LaAlO3与SrTiO3形成了赝立方钙钛矿结构固溶体;在最佳工艺条件下... 采用固相反应法制备了高品质(1-x)LaAlO3-xSrTiO3(x=0.54~0.63)系列微波介质陶瓷,研究了SrTiO3含量对LaAlO3-SrTiO3系陶瓷结构与性能的影响。结果表明:当x取0.54~0.63时,LaAlO3与SrTiO3形成了赝立方钙钛矿结构固溶体;在最佳工艺条件下,试样结构致密,无气孔,晶界清晰;随着x值的增大,陶瓷的体积密度由5.45g/cm3降至5.28 g/cm3,εr由38.9增大到约48.35,τf由-12×10-6/℃增大至.19×10-6/℃,品质因数Q·f则由75057 GHz降至48629 GHz。当x=0.6时,材料在1550℃下保温3 h获得最佳的微波介电性能:εr=45.27,Q·f=57677 GHz,τf=+1×10-6/℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 介电性能 SRTIO3 laalo3
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甘氨酸硝酸盐法合成LaAlO_3及其微波介电性能 被引量:3
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作者 田中青 伍光凤 +1 位作者 王浩 黄伟九 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期689-691,694,共4页
采用甘氨酸-硝酸盐法(GNP)合成了LaAlO3钙钛矿氧化物,并采用差热-失重(DTA-TG)分析、X-射线衍射仪(XRD)和粒度分析等方法对产物的形成过程和粉体性能进行了研究,用阿基米德排水法和网络分析仪分别研究了烧结体的烧结性能和微波介电性能... 采用甘氨酸-硝酸盐法(GNP)合成了LaAlO3钙钛矿氧化物,并采用差热-失重(DTA-TG)分析、X-射线衍射仪(XRD)和粒度分析等方法对产物的形成过程和粉体性能进行了研究,用阿基米德排水法和网络分析仪分别研究了烧结体的烧结性能和微波介电性能。结果表明,采用GNP可在700℃的低温下合成单相LaAlO3粉体钙钛矿氧化物,其晶格常数为:a=b=0.536 4 nm,c=1.311 6 nm,α=β=90°,γ=120°。合成粉体的晶粒尺寸(一次粒径)小于100 nm,二次粒径约为2μm。1 500℃烧结12 h可获得相对密度达95.1%的LaAlO3陶瓷,具有良好的微波介电性能:rε=23,Qf=38 000 GHz。 展开更多
关键词 甘氨酸硝酸盐法 laalo3 微波介电性能 钙钛矿
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(1-x)CaTiO_3-xLaAlO_3陶瓷的微波介电性能研究 被引量:5
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作者 赵小玻 高勇 +5 位作者 侯立红 宋涛 王营营 张萍萍 车松蔚 鲍晓芸 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2625-2629,共5页
通过传统的固相反应法制备了(1-x)CaTiO3-xLaAlO3陶瓷,系统地研究了LaAlO3含量的变化对陶瓷的晶体结构、微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,LaAlO3含量的增加导致(1-x)CaTiO3-xLaAlO3陶瓷的晶格结构发生畸变,使得陶瓷的介电常数... 通过传统的固相反应法制备了(1-x)CaTiO3-xLaAlO3陶瓷,系统地研究了LaAlO3含量的变化对陶瓷的晶体结构、微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,LaAlO3含量的增加导致(1-x)CaTiO3-xLaAlO3陶瓷的晶格结构发生畸变,使得陶瓷的介电常数下降、Q·f值增加,并使其谐振频率温度系数向负值处发生偏移。LaAlO3的含量为x=0.33时,(1-x)CaTiO3-xLaAlO3陶瓷的烧结温度为1460℃,展示了良好的微波介电性能:εr=45.3、Q·f=36218 GHz、τf=-0.5 ppm/℃。 展开更多
关键词 固相反应法 微波介质陶瓷 CaTiO3-laalo3 介电性能
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