晶体结构对LaGaO_3基固体电解质电性能的影响

用Raman光谱和直流四电极法分别研究了La0 .9Sr0 .1 Ga0 .9Mg0 .1 O2 .9(LSGM10 10 ) ,LaGa0 .8Mg0 .2 O2 .9(LGM 2 0 )和La0 .8Sr0 .2 GaO2 .9(LSG2 0 )的晶体结构和离子电导率。Raman分析显示LSGM 10 10和LGM 2 0具有对称性较高的菱方钙钛矿结构 ,而LSG2 0具有低对称性的斜方钙钛矿结构。电性能测试发现LSGM 10 10和LGM2 0有相近的离子电导率 ,而且都比LSG2 0在相同的温度下高近一个量级。结构分析发现在掺杂LaGaO3中高对称性的晶体结构有利于获得高的离子电导率。在光电子能谱 (XPS)

LaGaO_3基固体电解质相变的Raman光谱研究

用Raman光谱研究了温度和掺杂物浓度对SrO和MgO掺杂LaGaO3固体电解质晶体结构的影响。结果表明 :增加掺杂物浓度以及升高温度都将增加LaGaO3本体结构的对称性。SrO/MgO复合掺杂和MgO单一掺杂的LaGaO3具有菱方钙钛矿结构 ,而单一掺杂SrO和未掺杂的LaGaO3具有斜方钙钛矿结构。在 15 0℃附近观察到了LaGaO3从斜方转变成赝三方结构的相变过程 ,而复合掺杂LaGaO3的结构对称性随温度的升高也有所增加。此外 ,在掺杂LaGaO3的Raman光谱中 ,在 5 2 0 ,75 0 ,810cm- 1 附近观察到了新的非本征吸收峰 。