晶体结构对LaGaO_3基固体电解质电性能的影响

用Raman光谱和直流四电极法分别研究了La0 .9Sr0 .1 Ga0 .9Mg0 .1 O2 .9(LSGM10 10 ) ,LaGa0 .8Mg0 .2 O2 .9(LGM 2 0 )和La0 .8Sr0 .2 GaO2 .9(LSG2 0 )的晶体结构和离子电导率。Raman分析显示LSGM 10 10和LGM 2 0具有对称性较高的菱方钙钛矿结构 ,而LSG2 0具有低对称性的斜方钙钛矿结构。电性能测试发现LSGM 10 10和LGM2 0有相近的离子电导率 ,而且都比LSG2 0在相同的温度下高近一个量级。结构分析发现在掺杂LaGaO3中高对称性的晶体结构有利于获得高的离子电导率。在光电子能谱 (XPS)

LaGaO_3基固体电解质相变的Raman光谱研究

用Raman光谱研究了温度和掺杂物浓度对SrO和MgO掺杂LaGaO3固体电解质晶体结构的影响。结果表明 :增加掺杂物浓度以及升高温度都将增加LaGaO3本体结构的对称性。SrO/MgO复合掺杂和MgO单一掺杂的LaGaO3具有菱方钙钛矿结构 ,而单一掺杂SrO和未掺杂的LaGaO3具有斜方钙钛矿结构。在 15 0℃附近观察到了LaGaO3从斜方转变成赝三方结构的相变过程 ,而复合掺杂LaGaO3的结构对称性随温度的升高也有所增加。此外 ,在掺杂LaGaO3的Raman光谱中 ,在 5 2 0 ,75 0 ,810cm- 1 附近观察到了新的非本征吸收峰 。

LaAlO_3基电解质与阳极材料的化学相容性及电化学性能

采用甘氨酸-硝酸盐法(GNP)合成La_(0.90)Sr_(0.10)Al_(0.97)Mg_(0.03)O_(3-δ)(LSAM)粉体,成型后经1500℃、5h烧结的样品,900℃时其电导率为1.11×10^(-2)S·cm^(-1).利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜/X射线能谱分析(SEM/EDX)和交流阻抗技术等表征手段研究NiO-Ce_(0.9)Gd_(0.1)O_(1.95)(Ni-GDC)、Sr_(0.88)Y_(0.08)TiO_3(SYT)和La_(0.75)Sr_(0.25)Cr_(0.5)Mn_(0.5)O_3(LSCM)三种阳极材料与LSAM电解质的化学相容性.结果表明,SYT和LSCM与LSAM的化学相容性欠佳,SYT中的Sr^(2+)和Ti^(4+)向LSAM晶格的扩散明显,LSCM中的Mn^(3+)和Cr^(3+)向LSAM晶格的扩散显著;而Ni-GDC与LSAM具有良好的化学相容性,在1300℃下两材料间阳离子的相互扩散作用极小.800℃时Ni-GDC的比表面极化电阻(R_(ASP))值为5.12Ω·cm^2.LSAM电解质(厚度为550μm)支撑的Ni-GDC/GDC/LSAM/GDC/LSF(La_(0.75)Sr_(0.25)FeO_3)单电池,在800℃时电池的开路电压为0.925V,最大功率密度为19.5 mW·cm^(-2).

钐掺杂镓酸镧基电解质的制备及性能研究

采用传统的固相反应法合成了Sm掺杂La_(0.9)Sr0.1Ga_(0.85)Mg_(0.15)O_(3)电解质,并根据X射线衍射仪、交流阻抗谱和扫描电子显微镜来研究La_(0.9-x)Sm_(x)Sr_(0.1)Ga_(0.85)Mg_(0.15)O_(3)系列电解质的结构、电导率及微观形貌。结果表明,掺杂Sm的样品均具有钙钛矿结构,Sm^(3+)已经进入了La^(3+)晶体格位,形成了La_(0.9-x)Sm_(x)Sr_(0.1)Ga_(0.8)Mg_(0.2)O_(3)固溶体;电导率与温度的关系服从Arrhenius方程,电解质具有离子导电特征;Sm适量的掺杂,有利于提高LaGaO_(3)基固体电解质(LSGM)氧离子导体的电导率;此系列中掺Sm的质量分数15%是比较合适的,其在850℃时的电导率为41 mS/cm。

具有钙钛矿结构的SOFC用电解质材料的最新研究进展

固体氧化物燃料电池(SOFC)是20世纪80年代迅速发展起来的新型发电技术，能量转换效率可高达70％～80％，被称为21世纪最有前途的绿色能源。主要介绍了固体氧化物燃料电池所用钙钛矿结构电解质材料的研究进展，集中讨论了LaGaO3系、(Ba，Sr)CeO3系和PrGaO3系的结构特性、制备方法、电学性能和应用前景。固体氧化物燃料电池钙钛矿结构电解质材料的发展趋势是：对基质材料进行二元或多元掺杂以形成综合性能更优的复合氧化物；研究和开发与之相适宜的电极材料；进一步提高固体燃料电池的稳定性和能量转换效率。

聚(3-己基)噻吩/紫精掺杂聚氧乙烯体系的电双稳态存储特性研究

制备基于聚(3-己基)噻吩/(乙基紫精二高氯酸盐掺杂聚氧乙烯)(P3HT/(PEO+EV))双聚合物薄膜层的OFET型器件,研究P3HT/(PEO+EV)体系的电响应特性.结果表明该体系可以在+3 V的电压下由OFF态跃迁为ON态(写入信号),而在-3 V的电压下由ON态转换成为OFF态(擦除信号);在OFF和ON态转换之后,导电态能保持稳定,因此该体系具备良好的阻变电双稳态存储特性,开关电流比高达105.尽管器件ON态电流随时间表现出一定的衰减,在经过大约2800 s读取操作以后,体系仍然可以进行写入/擦除操作.采用共聚焦激光扫描显微镜技术研究体系的电存储机理,结果显示信号写入过程中P3HT层发出的荧光随着施加电压由S极向D极逐渐淬灭,淬灭过程大约需要0.167 s,这表明P3HT极化子在S电极生成,并在沟道内传递至D电极,传递速率大约是120μm/s;而信号擦除过程荧光快速恢复,表明P3HT极化子被还原成为本征态P3HT.