LaNiO_3底电极上Bi_4Zr_(0.5)Ti_(2.5)O_(12)薄膜的制备及性能

利用Sol-gel法在p-Si(111)衬底上制备了LaNiO3底电极,再利用Sol-gel法在LaNiO3底电极上制备出Bi4Zr0.5Ti2.5O12(BZT)铁电薄膜,对其微观结构和电学性能进行了研究.利用X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电镜观测其微观结构,发现制备的BZT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,并且薄膜表面晶粒尺寸均匀,结晶情况良好.对Pt/BZT/LaNiO3电容结构进行了铁电性能研究,在测试电压为25V时,2Pr和2Vc分别达到28.2μC/cm2和14.7V;经过1×1010次极化反转后,剩余极化值下降了大约13/;室温下,在测试频率1kHz时,薄膜的介电常数为204,介电损耗为0.029;漏电流测试显示制备的BZT薄膜具有良好的绝缘性能;C-V曲线为顺时针方向回滞,存储窗口大约为3.0V,C-V特性测试显示这种Pt/BZT/LaNiO3结构有望实现极化型存储.