CFOA Based Band Pass and Band Stop Ladder Filter—A New Configuration

A new technique for the conversion of ladder based filter into CFOA based filter has been proposed. The technique uses signal flow graph and converts the existing LC ladder based filter into band pass & band stop configurations. The design of band pass and band stop filter has been realized using the proposed technique. The proposed configuration is implemented using CFOA as an active device and all the capacitors are grounded. CFOA based circuits have greater linearity, high dynamic rate, high slew rate and high signal bandwidth. Simulation has been carried out using simulation software P Spice (v10.1). The simulation results have been demonstrated and discussed.

CFOA Based Low Pass and High Pass Ladder Filter—A New Configuration

A new technique using signal flow graph for conversion of ladder based filter into CFOA based filter has been proposed. The proposed technique converts the existing LC ladder based filter into CFOA in low pass and high pass configuration. The design of low pass filter and high pass filter has been realized using the proposed technique. The proposed configuration is implemented using CFOA as an active device and all the capacitors are grounded. Simulation has been carried out using simulation software I-cap. The simulation results have been demonstrated and discussed.

基于COM-MBVD混合模型的多模态声学响应研究与仿真

耦合模(COM)模型广泛应用于声表面波(SAW)滤波器设计中,传统的单模COM模型不能拟合到远端的高阶水平剪切波、西沙瓦波等杂散模态。从单模COM模型出发,结合类似于MBVD等效电路的谐振支路,实现COM-MBVD模型拟合多模态声学响应。并基于此模型搭建8阶梯形结构电路进行优化仿真。最终设计出中心频率为1 590 MHz,通带插入损耗小于1.6 dB,带内波动为1 dB,带宽为80 MHz(相对带宽为5%)的声表面波(SAW)滤波器。实际测试数据与仿真数据相符,验证了该设计方法的可行性。

低插损窄带TCSAW滤波器的设计与研制

为了减小窄带滤波器的插入损耗,在梯形拓扑的基础上引入并联电容,提出了一种并联电容型梯形拓扑。利用并联电容大幅度改变反谐振点频率的特点,以牺牲较小插入损耗的代价来缩小带宽。通过谐振器设计与进化算法寻优,成功研制出一款基于SiO_(2)/Cu/127°YX-LiNbO3结构的低插损窄带温补型声表面波(TCSAW)滤波器。实验结果表明,滤波器的中心频率为1514 MHz,相对带宽为0.46%,带内插入损耗仅1.45 dB,过渡带20 MHz带外抑制滚降到24 dB,远带带外抑制大于30 dB,WiFi频段抑制高达48 dB,频率温度系数TCF为-20×10^(-6)/℃,器件尺寸为1.1 mm×0.9 mm。

基于COM参数提取技术设计SAW梯形滤波器

与耦合谐振滤波器(CRF)相比,声表面波(SAW)梯形滤波器具有插入损耗小,功率容量大和芯片尺寸小的优点。该文从COM参数提取出发,结合COM模型和P矩阵级联的方法,设计出一个中心频率约为350MHz,插入损耗仅有1.5 dB的三极SAW梯形滤波器。从样品的测试结果发现,这种基于COM模型的阻抗元滤波器(IEF)的设计思路是正确可行的。

一种梯形干涉链可调谐光滤波器的设计与研究

结合Mach-Zehnder干涉原理和多模干涉(MMI)耦合器的散射矩阵,从理论上推导出梯形干涉链可调谐光滤波器(LTOF)输出光场的表达式,采用优化算法搜索出不同级联级数下MMI耦合器的最佳分光比,并分析了衍射阶数和电极长度对LTOF调谐输出性能的制约关系。结果表明,对应最大峰值功率,存在随级联级数增加而增大的最佳分光比;增加级联级数会导致峰值功率和3 dB带宽减小,峰值隔离度增大;电极长度为原电极的1.4倍时,可实现LTOF连续双向宽调谐的功能。通过比较,验证了理论模型及分析方法的正确性。

开关电流梯形滤波器的双线性变换设计

本文提出了一种用双线性变换进行开关电流（ＳＩ）梯形滤波器设计的方法。该方法不经ＳＣ滤波器，而直接用提出的ＳＩ模块一双线性／差分（ＢｉＤ）积分器去精确模拟全极点及有限零点ＬＣ原型。从而使滤波器设计步骤及电路结构得到简化。

具有跳耦结构的电流模式低通滤波器设计

本文讨论了电流模式RC梯形结构低通滤波器的一种有源实现方法——跳耦法,以此实现的电流模式低通滤波器采用CCⅡ,CCⅠ器件做为有源器件,比相应电压模式电路结构简单,且RC元件全部接地。这种跳耦结构和梯形结构一样具有低的元件灵敏度。

基于差分器的开关电流高通梯形滤波器的设计

本文应用一种新型的双线性/前馈差分器(BFD)来设计开关电流(SI)高通梯形滤波器。这种BFD是用本文提出的SI模块,通用差分器(GD)构成的,此GD具有多种差分功能。文中按S域频带变换和Z域带变换分别介绍了两种不同的设计方法,还给出了Chebyshev高通滤波器和椭圆(Elliptic)高通滤波器设计的实例。

梯形谐振式结构与纵向耦合结构相结合的滤波器

为了消除纵向耦合谐振式滤波器高端带外邻近通带处的肩膀,本文提出将滤波器与梯形结构相结合,用来改善其近阻带抑制,给出了理论模拟及实验结果。这些结果都验证了方案的可行性。

BNKLT无铅压电陶瓷梯形中频带通滤波器的研制

利用发明的[Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5]TiO3(BNKLT)系无铅压电陶瓷,采用全电极径向振动模式制作了插入损耗小于6 dB,阻带损耗大于30 dB,频率特性曲线平滑,并具有良好选择性的中频(IF=460 kHz)多节带通滤波器。与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性有待进一步改进。

串联耦合切比雪夫微环滤波器的设计

基于电路的设计方法,把N阶串联耦合微环谐振滤波器等价成为一个基带LC阶梯网络,通过求解LC阶梯网络的元件参量,求出微环滤波器的耦合系数.在此基础上设计出具有切比雪夫响应的微环滤波器,并与传统耦合模式理论方法和理想的切比雪夫响应进行比较,证明了这种方法的可靠性,最后讨论了耦合系数和环数对切比雪夫微环滤波器输出特性的影响.数值模拟表明,耦合系数的偏差率越大,通带的平坦性越差;耦合系数的值增大,通带的带宽加宽;当环数增加时,过渡带衰减速度变快,通带形状更接近方形.

带式过滤机PLC控制系统的设计

介绍了用PLC实现带式过滤机控制系统的软/硬件设计方法,重点叙述了过滤机的过滤、排液、纠偏、刷辊等装置的PLC控制技术、电气原理、梯形图编程及实现过程。

一种紧凑型Ku频段正交模耦合器的设计

设计了一种结构极为紧凑的Ku频段正交模耦合器(orthomode transducer,OMT),器件最大尺寸36mm,公共端口为方波导,适用于复杂的多馈电网络集成系统.通过一系列阶梯变换以及侧壁缝隙耦合形式实现了电磁波的极化过滤,两个输出端口分别对应一种极化波.加工了耦合器实物并进行了测试,实测15%频带范围内端口驻波小于1.6,两端口隔离度小于-50dB,仿真和实测数据一致.

声表面波梯形谐振滤波器的级间补偿

梯形SAW滤波器在进行级联后,其通带的低端会出现下陷,使得级联后的通带特性变坏。本文从阻抗匹配的角度分析了通带低端出现下陷的原因,并采用了在级间加谐振器进行补偿的改进方法,最后给出了理论模拟及实验结果。

S波段低插损FBAR陷波器的研制

该文介绍了一种单端口、端口阻抗50Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2399~2412 MHz,陷波抑制达35 dBc;通带频率分别为1800~2300 MHz和2500~2800 MHz,通带插损仅1 dB;3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明,陷波器实测与仿真结果两者相吻合。

宽带FBAR滤波器的研制

采用阶梯型结构的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片和外匹配电路实现了一种输入输出端口阻抗均为50Ω的宽带FBAR滤波器。FBAR滤波器芯片采用自主的FBAR滤波器工艺实现,外匹配电路采用0.35μm GaAs工艺实现,并在该芯片上植球,采用倒装工艺将FBAR滤波器芯片与外匹配电路芯片进行异构集成。然后采用微组装工艺将异构集成芯片装配在标准陶瓷外壳中,外壳通过平行封焊工艺实现气密封装,体积仅为3.8 mm×3.8 mm×1.8 mm。测试结果显示,该滤波器通带频率范围为3 300~3 600 MHz, 1 dB带宽约为300 MHz,相对带宽为8.7%,插入损耗为1.41 dB,在3 250 MHz和3 650 MHz处带外抑制分别为16.5 dBc和48.2 dBc。将实测结果与仿真结果进行了对比,两者基本吻合。

无铅压电陶瓷中频滤波器的研制

采用本组发明的BNKLT系无铅压电陶瓷,研制了中频陶瓷滤波器.该体系陶瓷具有较高的使用温度,在160℃以上仍然具有较强压电性.利用此体系材料,采用轮廓振动模式,制作了插损约为3dB,中心频率约为530kHz,带宽约为8.8kHz,左、右选择性均良好的无铅压电陶瓷单片式中频滤波器;采用全电极径向振动模式,制作了插入损耗小于6dB、阻带损耗大于30dB、频率特性曲线平滑、具有良好选择性的中频(IF=460kHz)多节带通滤波器.与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性还有差距,有待改进;而对单片式滤波器来说,除中心频率以外,大部分指标可满足村田公司同类含铅陶瓷中频滤波器(SFU系列)产品标准,具有良好的应用前景.

声表面波陷波器与梯形结构相结合的滤波器

用单端对SAW谐振器取代LC低通滤波器中的电容可构成宽通带陷波器。它具有频率选择性好,通带插损低,对陷波频点抑制较高的优点。将这种陷波器与梯形滤波器结合,能实现一种在通带具有低插损,而在特定频段达到高抑制的滤波器,从而可用于双工器中。本文首先分析了这种组合结构的构成原理及实现方法;然后进行理论模拟,并进行了实验验证。

跨阻型集成带阻滤波器设计

作为一种独特的滤波器形式,跨阻滤波器在集成电路中起着重要作用.基于LC原型电路,提出了一种跨阻型集成带阻滤波器的设计方法.首先用状态变量表示LC元件变量关系,然后将关系式表示成信号流图形式,用全差分放大器替换其中的积分部分,最后集成得到全差分有源跨阻带阻滤波器.为验证设计的可行性,给出了六阶Chebyshev跨阻集成带阻滤波器的设计过程及其Hspice计算机仿真结果.仿真结果表明,所设计的滤波器满足设计参数要求,滤波性能良好.