真空微电子微三极管特性的计算机模拟

用计算机模拟方法研究了真空微电子场致发射微三极管的特性，建立了数理模型。用差分方法求解泊松方程，以福勒──诺德海姆理论处理场致发射特性。细致处理了阴极表面电场，考虑了空间电荷效应的影响，并对模拟结果进行了分析讨论。

场发射显示技术

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。

真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景

真空微电子学是近年来发展的一门新学科，它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极、微三极管、感应输出放大器、分布放大器等方面的发展情况，相信在近几年内这方面的应用研究会获得突破性进展。

金属楔形发射体电子场发射理论研究

提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例。该理论以单原子发射点假设为基础，用经典电动力学方法计算出楔形发射体的隧道势垒，然后用Numerov方法计算其透射比，最后得到楔形发射体的场发射伏安特性，还分析了几何结构参数对楔形发射体场发射特性的影响。

楔形发射体的电子场发射理论

本文提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例；该理论以单原子发射点假设为基础，用经典电动力学方法计算楔形发射体的隧道势垒，然后用Ｎｕｍｅｒｏｖ方法计算其透射系数，最后用到场发射体伏安特性。

硅场发射阴极阵列的储存效应研究

本文研究了硅场发射阴极阵列的储存效应，发现长期储存会使其性能下降。

横向场发射三极管

利用薄膜边缘场发射阴极设计的三极管，阴极、栅极和阳极是平面结构，因此极间电容小，适合应用于高速和高频电路。它在工艺上与半导体器件兼容，工艺比较简单，是未来真空微电子集成电路中的有源器件，它有着广泛的应用前景。

场发射彩色平板显示器

本文介绍了真空微电子场发射阵列的结构，特性和制造工艺，并提供了四种实用的场发射彩色平板显示器结构。