Sb薄膜嵌脱Li性质的平面波赝势法计算与实验研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面波方法计算了Li-Sb合金的嵌锂性能,得到合金的嵌锂形成能、嵌锂电位、理论比容量、体积膨胀率和能带结构等。并用恒流充放电和循环伏安法实测了薄膜电极的充放电性,Sb电极在循环时,表现出平稳的0.8V嵌锂电压平台,其电位与理论计算较吻合。富锂态LixSb(2<x≤3)存在明显的体积膨胀现象,并表现出间接半导体特征,体系导电性较差,这是除体积效应外,纯Sb使用性能不佳的原因之一。