通过高温固相法制备Li2Sr Si O4:Dy3+,Eu3+荧光粉,采用X-射线粉末衍射(XRD)和阴极射线光谱分别对其物相、阴极射线发光性能进行研究,并研究Dy3+离子掺杂量对其发光性能的影响.结果表明,Dy3+和Eu3+均作为发光中心进入到Li2Sr Si O4的晶...通过高温固相法制备Li2Sr Si O4:Dy3+,Eu3+荧光粉,采用X-射线粉末衍射(XRD)和阴极射线光谱分别对其物相、阴极射线发光性能进行研究,并研究Dy3+离子掺杂量对其发光性能的影响.结果表明,Dy3+和Eu3+均作为发光中心进入到Li2Sr Si O4的晶格中并未改变其晶格结构;在0.5~5 k V的电子束激发下,发射光谱主要由Dy3+和Eu3+的f-f特征跃迁组成;随着Dy3+掺杂量的增加,Dy3+的发射强度先增强后减弱,说明存在浓度猝灭,而Eu3+的发射强度有所提高,说明Dy3+对Eu3+有一定的敏化作用;Dy3+的最佳掺杂量为0.15;随着电压和电流的增加,样品的发光强度逐渐提高.展开更多
文摘通过高温固相法制备Li2Sr Si O4:Dy3+,Eu3+荧光粉,采用X-射线粉末衍射(XRD)和阴极射线光谱分别对其物相、阴极射线发光性能进行研究,并研究Dy3+离子掺杂量对其发光性能的影响.结果表明,Dy3+和Eu3+均作为发光中心进入到Li2Sr Si O4的晶格中并未改变其晶格结构;在0.5~5 k V的电子束激发下,发射光谱主要由Dy3+和Eu3+的f-f特征跃迁组成;随着Dy3+掺杂量的增加,Dy3+的发射强度先增强后减弱,说明存在浓度猝灭,而Eu3+的发射强度有所提高,说明Dy3+对Eu3+有一定的敏化作用;Dy3+的最佳掺杂量为0.15;随着电压和电流的增加,样品的发光强度逐渐提高.