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γ-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究 被引量：2
1
作者 杨卫桥 干福熹 +3 位作者 邓佩珍 徐军 李杼智 蒋成勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期565-568,共4页
γ LiAlO2 晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料 ,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2 晶体的缺陷。结果表明 ,提拉法生长的γ LiAlO2 晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其 (10 0 )晶片上的... γ LiAlO2 晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料 ,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2 晶体的缺陷。结果表明 ,提拉法生长的γ LiAlO2 晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其 (10 0 )晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异。 展开更多
关键词 位错 同步辐射X射线形貌术 GaN衬底 γ-lialo2晶体 生长缺陷 研究
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衬底材料LiGaO_2与LiAlO_2晶体的生长及缺陷分析
2
作者 徐科 徐军 +1 位作者 周永宗 邓佩珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期318-318,共1页
衬底材料ＬｉＧａＯ２与ＬｉＡｌＯ２晶体的生长及缺陷分析徐科徐军周永宗邓佩珍（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈａｎｄＤｅｆｅｃｔｓｏｆＳｕｂｓｔｒａｔｅＭａｔｅｒｉａｌｓＬ... 衬底材料ＬｉＧａＯ２与ＬｉＡｌＯ２晶体的生长及缺陷分析徐科徐军周永宗邓佩珍（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈａｎｄＤｅｆｅｃｔｓｏｆＳｕｂｓｔｒａｔｅＭａｔｅｒｉａｌｓＬｉＧａＯ２ａｎｄＬｉＡｌＯ２ＸｕＫ... 展开更多
关键词 衬底材料 引上法晶体生长 缺陷 铝酸锂晶体
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LiAlO_2晶体的生长及完整性研究
3
作者 刘琳 陈京兰 刘海润 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期316-316,共1页
ＬｉＡｌＯ２晶体的生长及完整性研究刘琳陈京兰刘海润（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈａｎｄＩｍｐｅｒｆｅｃｔｉｏｎｏｆＬｉＡｌＯ２ＣｒｙｓｔａｌＬｉｕＬｉｎＣｈｅｎＪｉｎｇｌａｎＬｉ... ＬｉＡｌＯ２晶体的生长及完整性研究刘琳陈京兰刘海润（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈａｎｄＩｍｐｅｒｆｅｃｔｉｏｎｏｆＬｉＡｌＯ２ＣｒｙｓｔａｌＬｉｕＬｉｎＣｈｅｎＪｉｎｇｌａｎＬｉｕＨａｉｒｕｎ（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ... 展开更多
关键词 衬底材料 引上法晶体生长 半导体 铅酸锂晶体
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