LiF添加对YAG陶瓷微波介电性能的影响

采用常规固相烧结法制备了YAG陶瓷,并研究了烧结温度和LiF添加量对YAG陶瓷微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,LiF的添加不仅可以有效降低YAG陶瓷的烧结温度,而且显著提高其微波介电性能。当LiF添加量为质量分数5%时,YAG陶瓷经1500℃烧结6h后的相对密度为97.5%,显微组织较均匀、致密,具有优异的微波介电性能:εr=11.3,Q·f=67130GHz,τf=-53.4×10^-6℃^-1。当LiF添加量过多时,YAG陶瓷的气孔率增加,Q·f值显著下降。