电子束照射LiF薄膜有源沟道的宽带光致发光

用热蒸发在玻璃衬底上制备了多晶LiF薄膜 ,研究了由电子束照射产生的有源沟道的室温宽带光致发光特性。研究表明 ,室温下有源沟道F2 和F3+ 色心具有较大的光增益和折射率增量 ,有望实现可见波段的可调谐有源光波导器件。

真空退火对LiF和CaF_2薄膜结晶性能的影响

研究了真空退火对玻璃衬底上热蒸发沉积的LiF和CaF2 薄膜的结晶性能的影响。X射线衍射分析结果表明 ,在4 2 0℃温度下 ,随着退火时间的增长 ,LiF薄膜的结晶状况明显改善 ;在 4 6 0℃温度下 ,随着退火时间的增长 ,CaF2

超细硼粉的氟化锂包覆

以L iOH、HF为主要原料,采用中和沉淀法对超细硼粉进行了表面包覆。研究了L iOH的浓度对包覆效果的影响。透射电镜、X-光电子能谱、酸度计、黏度计用于包覆效果分析。结果表明,硼粉颗粒表面包覆了均匀且致密的L iF薄膜,薄膜厚度25 nm。酸度及黏度测试结果表明,经L iF包覆后硼粉悬浊液体系的pH值明显增大,并有效地降低了HTPB体系的黏度。含包覆硼推进剂的点火延迟时间及燃烧残渣分析表明,含包覆硼粉的推进剂点火延迟时间明显缩短,由70.475 s减为23.585 s;包覆后推进剂中硼的燃烧效率明显提高,推进剂燃烧残渣中硼与B2O3的摩尔比由包覆前的37.5∶1变为包覆后的3.1∶1。