Yb3+/Ho3+/Tm3+三掺杂LiTaO_(3)多晶材料的上转换发光特性

采用高温固相合成法制备了多组Yb^(3+)/Ho^(3+)/Tm^(3+)不同物质的量分数掺杂的LiTaO_(3)多晶材料,测试了双掺Yb^(3+)/Ho^(3+),Yb^(3+)/Tm^(3+)和三掺Yb^(3+)/Ho^(3+)/Tm^(3+)的LiTaO_(3)多晶的X射线衍射图谱、紫外-可见吸收谱和上转换荧光发射谱。X射线衍射(XRD)结果显示,稀土离子掺杂没有改变LiTaO_(3)多晶的物质结构,这表明稀土离子以取代基质离子的方式进入了晶格中。样品的紫外吸收边显示,增加Ho^(3+)或Tm^(3+)物质的量分数会导致吸收边先红移再蓝移。在980 nm泵浦光激发下,可见光区域中出现上转换蓝光(475 nm)、绿光(545 nm)和红光(663 nm和650 nm)发射,通过改变LiTaO_(3)中的激活离子Ho^(3+)-Tm^(3+)物质的量分数,可对上转换荧光色度进行调节,物质的量分数配比为2.0%Yb^(3+)/0.05%Ho^(3+)/0.4%Tm^(3+)的掺杂LiTaO_(3)多晶材料实现了最为接近标准白光的发射。

基于LiTaO_(3)基片宽带声表面波滤波器设计方法

通讯系统传输效率的提升对滤波器带宽的要求越来越高,如果使用常规声表面波(SAW)滤波器设计技术,则将面临损耗大或带宽达不到要求的问题。该文根据系列宽带SAW滤波器产品开发结果,总结了采用特殊技术用LiTaO_(3)压电基片实现相对带宽8%以上的宽带SAW滤波器设计方法,其包括利用外围电感、电容增加SAW谐振器的谐振频率和反谐振频率的间隔,提高阻抗元滤波器带宽;利用多模式纵向耦合谐振滤波器结构增加滤波器带宽;利用双通带滤波器并联结构获得大带宽滤波器。上述方法各有优缺点,其均能获得约为9%的带宽。

单晶LiTaO_(3)折射率和声学物理常数的布里渊散射

通过布里渊散射技术,在背散射几何设置下,原位获得了钽酸锂(LiTaO_(3))单晶样品的折射率.结合对称散射几何设置,通过对同一块X-cut LiTaO_(3)单晶样品进行测试,得到了其全部独立的声学物理常数(6个弹性常数、4个压电常数和2个介电常数).实验结果与文献报道结果吻合很好.

倾斜结构对LiTaO_(3)-POI多层结构的SAW谐振器性能的影响

旨在探究倾斜结构在LiTaO_(3)-POI多层结构上对SAW谐振器横向模态杂散的影响。通过有限元方法(FEM),构建两种单端口谐振器模型,半周期P为0.98μm和1.42μm,孔径均为40P。然后对一系列倾斜角度(0°,2.5°,5°,7.5°,10°,12.5°,15°,17.5°,20°)进行了仿真分析,并完成版图绘制和流片测试。研究结果表明,实测数据与仿真结果之间具有高度一致性。在相同的半周期条件下,随着倾斜角度的增加,SAW谐振器对横向模态杂散抑制能力在一定范围内先增强后减弱。机电耦合系数随之逐渐减小,阻抗比的变化规律是先增大后降低,特别是在倾斜角度为2.5°和5°时,阻抗比达到最大值。这些规律揭示了倾斜结构对LiTaO_(3)-POI多层结构SAW谐振器横向模态杂散具有显著的抑制作用,为SAW滤波器的设计和制造提供了重要的理论依据和实践指导。研究结果表明,适当的倾斜角度能够有效优化SAW谐振器的性能,对于高性能射频滤波器的研制具有重要意义。

NaCl助熔剂法合成钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体

采用NaCl助熔剂法合成了钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体,分别采用SEM、EDS-Mapping、XPS、XRD、Raman-Mapping、AFM和瞬态光电流测试系统等测试手段对所合成的晶体的微观形貌、元素及成分组成分布、物相组成、应力分布、表面粗糙度、瞬态光电流性能进行了一系列测试研究,测试结果表明所合成的钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体元素和成分分布均匀,结晶程度非常高,可机械加工性能良好,抛光后的单晶晶片表面平整光滑,粗糙度小,皆具有良好的光电性能,所合成的钽酸锂晶体表面应力分布均匀,但掺铁钽酸锂晶体表面应力分布不太均匀,存在明显的应力分布集中的区域。