针对LED高光效、低功耗的要求,在分析LED光学性能的基础上,采用了COB（chip on board）即板上芯片封装技术。研究了不同电流下和点亮不同时间后,分析其LED光通量、光效和色温。研究分析影响LED光学性能的因素并进行测试。结果表明,用两...针对LED高光效、低功耗的要求,在分析LED光学性能的基础上,采用了COB（chip on board）即板上芯片封装技术。研究了不同电流下和点亮不同时间后,分析其LED光通量、光效和色温。研究分析影响LED光学性能的因素并进行测试。结果表明,用两种色温接近3 000 K的样品,电流由500 m A增大到900 m A,色温升高了1.685%、2.626%,光通量也随着电流的变大而升高68.532%、84.625%,但相反光效却降低了13.535%、9.971%;而在电流保持不变的情况下,点亮的时间由0~1 min、0~5 min、0~10 min,其色温分别上升了0.537%、1.209%、2.384%;0.369%、1.104%、2.943%,同时,光通量分别降低1.474%、4.855%、7.493%;2.073%、3.859%、7.793%,光效也分别降低2.527%、4.617%、6.671%;2.171%、4.903%、7.579%。实验发现,电流与点亮时间直接影响LED光学性能。展开更多
用电子束蒸发技术制备了 GaAlAs/GaAs 和 InGaAsP/InP 发光管的减反射膜。从不同的 LED 和膜厚所获得的结果表明:0.85μm 或0.9μm GaAlAs/GaAsLED 端面上的单层(λ/4)Al_2O_3 AR 膜,能使之明显地增加输出光功率,其输出功率在50mA 和100...用电子束蒸发技术制备了 GaAlAs/GaAs 和 InGaAsP/InP 发光管的减反射膜。从不同的 LED 和膜厚所获得的结果表明:0.85μm 或0.9μm GaAlAs/GaAsLED 端面上的单层(λ/4)Al_2O_3 AR 膜,能使之明显地增加输出光功率,其输出功率在50mA 和100mA 电流下通常可以增加25%～35%,最大达50%。但1.3μm 的InGaAsP/InP LED 上,单层的 ZrO_2 AR 膜比 Al_2O_3 AR 膜好。最后讨论了与输出功率和膜厚有关的问题。展开更多
文摘针对LED高光效、低功耗的要求,在分析LED光学性能的基础上,采用了COB（chip on board）即板上芯片封装技术。研究了不同电流下和点亮不同时间后,分析其LED光通量、光效和色温。研究分析影响LED光学性能的因素并进行测试。结果表明,用两种色温接近3 000 K的样品,电流由500 m A增大到900 m A,色温升高了1.685%、2.626%,光通量也随着电流的变大而升高68.532%、84.625%,但相反光效却降低了13.535%、9.971%;而在电流保持不变的情况下,点亮的时间由0~1 min、0~5 min、0~10 min,其色温分别上升了0.537%、1.209%、2.384%;0.369%、1.104%、2.943%,同时,光通量分别降低1.474%、4.855%、7.493%;2.073%、3.859%、7.793%,光效也分别降低2.527%、4.617%、6.671%;2.171%、4.903%、7.579%。实验发现,电流与点亮时间直接影响LED光学性能。
文摘用电子束蒸发技术制备了 GaAlAs/GaAs 和 InGaAsP/InP 发光管的减反射膜。从不同的 LED 和膜厚所获得的结果表明:0.85μm 或0.9μm GaAlAs/GaAsLED 端面上的单层(λ/4)Al_2O_3 AR 膜,能使之明显地增加输出光功率,其输出功率在50mA 和100mA 电流下通常可以增加25%～35%,最大达50%。但1.3μm 的InGaAsP/InP LED 上,单层的 ZrO_2 AR 膜比 Al_2O_3 AR 膜好。最后讨论了与输出功率和膜厚有关的问题。
