光刻、OPC与DFM

讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。

一种OPC友好的迷宫布线算法

超深亚微米集成电路制造中广泛应用OPC技术来减少掩模图形的光刻畸变,改善成像质量.然而在当前的设计流程中,版图设计者并没有考虑版图的OPC友好性问题,从而使一些图形由于原始形状限制无法进行充分的OPC校正处理.本文提出了一种OPC友好的迷宫布线算法:在布线的同时进行快速点光强计算,来预测走线对未来OPC的影响,避免可能导致OPC失败的布线结果,同时尽可能减少OPC需要做出的校正.

BCJ—1尘埃粒子计数器光学系统的设计

根据Mie散射理论和仪器的技术指标，确定了BCJ－1尘埃粒子计数器光学系统的结构型式、参数及像差校正要求；根据仪器的工作特点，确定了光学系统中视杨光阑的最佳形状。

集成电路版图中的多边形匹配比较研究

光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提取OPC校正时的分段信息和段偏移量,使得post-OPC版图的修正能够充分利用前次OPC的结果,避免了重做OPC,提高了OPC验证后修正的效率。

使用测试图形法优化亚分辨率辅助图形

在亚波长光刻领域,基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形,且不考虑光学邻近校正的效果。提出了一种新的利用测试图形优化亚分辨率辅助图形的方法。与一般的光学邻近校正流程结合,该方法能解决工艺窗口过小和亚分辨率辅助图形刻出等问题。通过对标准电路版图的测试,对边放置误差和工艺窗口进行了测量。边放置误差相比传统方法减小了10%,同时,不同工艺窗条件下的边放置误差也有改善。

双重图形技术的优化设计

作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。实验结果表明,在保证版图校正精确度的同时,可节省大量的运行时间,同时也有效地缩短了DPT的流程。