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低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管
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作者 王树堂 曾靖 +4 位作者 李锋 胡春阳 夏彩虹 孙捷 樊爱香 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第12期958-961,共4页
根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度～(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6... 根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度～(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6μW),参与倍增的暗电流l_(dm)最小可达0.25nA。 展开更多
关键词 雪崩二极管 INGAAS SAGM 低漏电
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