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题名NMOS低温热载流子晶体管的解析研究
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作者
刘卫东
魏同立
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机构
清华大学微电子学研究所
东南大学微电子中心
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出处
《电子科学学刊》
CSCD
1996年第6期661-665,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目
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文摘
利用低温(77-295K)短沟NMOSFET准二维解析模型,研究了77-295K温区NMOSFET衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变,其值约为7.6nm;低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量,但由于碰撞电离减弱,使NMOSFET的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明,提出的衬底电流机制和模型适用于77-295K宽温区范围。
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关键词
NMOS
低温
nmosfet
载流子晶体管
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Keywords
low temperature, nmosfet, substrate current, mean-free path, impact ionization
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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