Sb_2O_3添加剂对超电容器用电极材料——改性氮化钼电极性能的影响

MoO3和Sb2 O3混合物与NH3通过程序升温反应制备电极材料 ,用XRD和SEM方法表征反应产物。SEM表明 ,电极成膜物质为纳米晶体。电化学方法证明 ,该材料制备的电极具有典型的电容性能 ,经Sb改性后的γ Mo2 N复合电极“准电容”的比容量提高近 1 6倍 ,在酸性电解液中有优良的电化学活性 ,循环伏安测试在 -0 4V之后极化程度小 ,电位下降趋势明显减缓 ,是一种具有发展潜力的储能材料。

现代大面积电子学的系统考察

现代大面积电子学主要涵盖大面积显示、太阳能电池和图像传感器等。对大面积电子学从产品、材料、工艺和设计的角度,进行了系统考察;分析了大面积电子学的特征、现状和发展趋势,并主要对有源矩阵液晶显示器(AMLCD)和太阳能电池存在的问题和改进措施作了较为详细的探讨。

功率MOSFET的研究与进展

器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。

基于SOI技术的MEMS超声分离器制备方法研究

基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离器腔体制作方法。提出将SOI(silicon on insulator)片作为刻蚀基底,采用等离子体干法刻蚀、硅/玻璃键合以及激光热加工等技术制备分离器,成功制备出腔体深度分别为137μm和200μm的分离器,腔体深度误差均在±2μm以内,腔体表面粗糙度Ra<10 nm,腔体侧壁垂直度达83°。为MEMS超声分离器的制备提供了一种简便、高效的工艺方法。

低介电常数材料在超大规模集成电路工艺中的应用

本文概述了低介电常数材料(LowkMaterials)的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性,最后举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工艺研究的重要课题,并展望了其发展前景。

浅谈热处理原理及工艺课程的教学策略

热处理原理及工艺是材料成型及控制工程专业一门重要的专业基础课。为了提高学生的求知欲与学习效益,可以以"趣"为主线,对教学内容进行改革,采用多媒体教学、启发式与讨论式教学方法及强化实践教学等方式。

芯片封装工艺的改进方法研究

在目前的芯片封装过程中,从Die Bond到切割成型,要经过多道工序,需要使用多种不同类型的半导体设备,造成巨额的运行成本。由于环节过多,导致芯片封装的周期长达7天以上。因此,通过改进芯片封装工艺,寻找替代材料,精简封装流程,芯片封装最快可2h完成,极大地缩短了加工周期,对于芯片设计公司快速新品的研发,降低运营成本,增强核心竞争力有非常大的帮助。

黑冰淇淋粉制备工艺研究

以黑豆、黑花生、黑芝麻、鲜牛乳、棕榈油、白砂糖等为原料进行冰淇淋浆料的配方设计,并通过离心喷雾干燥工艺制备黑冰淇淋粉。利用单因素、正交试验和响应面分析法对冰淇淋浆料的配方和喷雾干燥条件分别进行优化。结果表明,浆料最佳配方为:黑豆、黑花生、黑芝麻混合汁35%,鲜牛乳50%,白砂糖16%,棕榈油3%,复配乳化稳定剂0.6%。喷雾干燥的最佳条件为:进风温度210℃、进料流量160 m L/min、出风温度90℃。此时出粉率达52.91%。制成的黑冰淇淋粉呈浅褐色,流散性好,滋气味协调,是具有较高开发价值的新品冰淇淋粉。