2.4GHz射频低噪声放大器分析与设计

从低噪声放大器的设计原理出发,从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计。电路采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行设计,利用ADS2005A对电路进行模拟。结果表明,它的噪声系数为1.768dB,正向功率增益为20.36dB,IIP3为2.34dBm,工作电压1.5V时,功耗小于12mW。

利用Volterra级数的低噪声放大器线性增强设计

针对单级宽带低噪声放大器(LNA)非线性难以定量分析及难以将电路与线性指标联合设计的问题,提出利用Volterra级数和双极非线性模型相结合的方法优化电路线性度。该方法从SiGe双极管非线性模型出发,提取影响线性度的模型参数,并利用维塔里级数和双极管非线性模型导出器件非线性传输函数,推演出其与IIP3的相互关系,量化各个参数的非线性比重,提出优化线性度的电路设计方法。研究结果表明,在1.5~20 GHz的宽频工作频带下,单级低噪声放大器的输入和输出均可实现良好的匹配(【-10 d B),达到16d B的增益,噪声系数在整个频带下小于3.6 d B,IIP3可达-7.73 d Bm。