Influence of Si^(4+) substitution on the temperature-dependent characteristics of Y_3Al_5O_(12):Ce

A series of aAl5O12：Ce （YAG：Ce） phosphors doped with different Si4＋ concentrations is prepared by solid-state reaction. The temperature dependent characteristics of luminescent spectrum and decay time of Ce3＋ are investigated. With Si4＋ doped, the emission spectrum shows a blue shift clue to a decrease of the splitting of 5d levels of Ce3＋ ion. The thermal stability is greatly improved by adding Si4＋ because the activation energy AE increases from 0.1836 eV to 0.2401 eV. The study of the decay times against temperature for various doping concentrations of Si4＋ shows that the calculated nonradiative decay rate is affected by Si4＋ substitution. The results are explained by the configurational coordinate diagram.

分步滴定法制备YAG荧光粉

在室温下，采用分步滴定法得到高亮度LED所用的Y3-x-yGdxCeyAl5O12荧光粉，并以0．1mol／L的碳酸氢铵和氨水为沉淀剂，将其分步滴入金属盐离子混合液中，研究了掺杂Gd离子对荧光粉发光性能的影响。结果表明，以Ce为激活中心，最佳掺量为0．06，加入助熔剂后，荧光粉的发光性能提高了50％左右；随着Gd^3＋取代量的增加，荧光粉样品发射光谱的峰值波长可红移5-10nm，同时，Gd^3＋对发光中心Ce^3＋的影响增强，当取代浓度32为0．1时发光最强。XRD测试结果表明Gd离子的掺入对YAG相的形成并没有影响。

ZnO∶Eu^(3+)发光材料的制备和性能表征

为了提高Zn O∶Eu^(3+)荧光粉体的发光强度并降低合成温度,利用高温机械力化学法合成了单相Zn O∶Eu^(3+)荧光材料.利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和荧光光谱仪对样品的结构、微观形貌和发光特性进行了表征.结果表明,Zn O∶Eu^(3+)荧光粉体的最佳反应温度为450℃,最佳球磨时间为3 h.当Eu^(3+)摩尔分数为2.5%、球料比为20∶1时,经450℃球磨3 h后制备的Zn O∶Eu^(3+)荧光粉体的发光强度最好.

Mn^(2+)掺杂NaBiF_4∶Yb/Er体系的可调控上转换发光

采用溶剂热法制备了不同Mn^(2+)掺杂量的NaBiF_4∶Yb/Er/Mn上转换发光体系,研究了其形貌、晶相、上转换发光性能随Mn^(2+)掺杂量的变化,并探讨了该体系的能量传递机理.实验结果表明,Mn^(2+)的掺杂不会引起NaBiF_4从六方相转变为立方相,但会增大其尺寸;同时在NaBiF_4体系中,Mn^(2+)可以与Er^(3+)进行能量传递,使红光发射得到增强,并且随着Mn^(2+)浓度的增加,红/绿光发射强度比也会随之增大.此外,还考察了NaBiF_4∶Yb/Er/Mn体系的变温发射光谱,发现当温度升高时,红/绿光强度比以及520 nm绿光与540 nm绿光发射强度比都总体上呈增大趋势.

表面粗糙度对荧光陶瓷发光性能的影响

采用真空高温固相反应烧结技术制备了Ce∶Y_(3)Al_(5)O_(12)(掺杂原子数分数为0.2%)与Al_(2)O_(3)复合相荧光陶瓷(简称Ce∶YAG-Al_(2)O_(3)),采用蓝光发光二极管(LED)芯片,以透射模式激发,系统研究了退火处理对荧光陶瓷发光性能的影响以及不同厚度与不同表面粗糙度的荧光陶瓷的发光性能的变化规律。结果表明,退火处理可明显改善荧光陶瓷的发光性能,且在相同激发条件下,随着荧光陶瓷厚度的增加,透射蓝光与荧光陶瓷所发出的黄绿荧光的强度比下降,色温降低,发光效率升高。陶瓷表面粗糙度的增加可明显提高荧光陶瓷的发光效率。对于同一荧光陶瓷样品,蓝光入射面的粗糙度小,光出射面的粗糙度大,有利于降低荧光陶瓷的色温,提高其发光效率。

(Y_(2.94-x)Gd_xCe_(0.06))Al_5O_(12)荧光粉的温度依赖特性研究

主要研究了Gd的掺杂浓度对(Y2.94-xGdxCe0.06)Al5O12荧光粉发射光谱的影响以及发光光谱的温度依赖特性。结果表明:室温(RT)时,随着Gd掺杂量从0增大到0.6mol,(Y2.94-xGdxCe0.06)Al5O12荧光粉发射光谱的峰值波长从530nm红移到550nm;环境温度升高时,(Y2.94-xGdxCe0.06)Al5O12荧光粉的发光强度呈快速衰减、发射光谱呈宽化趋势,且衰减速率及宽化趋势都随着Gd掺杂量的增加而加剧。采用位形坐标模型讨论认为,由于Gd3+的半径和电负性均大于Y3+,Gd3+取代Y3+后,导致发光中心的简并基态和激发态劈裂加剧,基态和第1激发态间的间距减小,激活能下降,发射光谱呈现红移现象。随着温度升高,电子和声子间的相互作用增强,非辐射跃迁增强,发光快速衰减,光谱宽化。利用发光强度、光谱宽度与温度关系公式解释了Gd掺杂量增加导致热衰减加剧、光谱宽化趋势愈加明显的现象。