Y(Fe,M)_(12)化合物的电子结构与磁性(M=Nb,Si)

采用新近发展的全势能线性缀加平面波((L)APW)+局域轨道(lo)和广义梯度近似(GGA)密度泛函方法计算了Y(Fe,M)12化合物(M=Nb,Si)的电子结构,得到了相应的总态密度和局域态密度,并分析了替代原子与替代晶位不同引起态密度的变化。根据计算结果预测的居里温度变化与实验结果基本一致。

铈在ThMn_(12)型低稀土永磁合金中的研究进展

相较于价格昂贵的Nd,Sm等稀土元素,Ce在稀土永磁合金的制备中,由于其储量极其丰富、价格低廉,因此被称为“自由稀土”,已显示出更大的应用潜力。ThMn_(12)型低稀土永磁合金具有较高的居里温度、较大的饱和磁化强度和磁晶各向异性场,符合风力发电、电动汽车等领域对高性能永磁体的要求。从降低成本,保留性能的角度,整理了Ce部分掺杂的RFe_(12)化合物(R以Nd,Sm,Zr为主)的研究进展,包括掺杂含量及磁性能等。其次对近年来纯铈基Ce(Fe,M)_(12)化合物的研究进展做了总结与讨论,包括常用模拟计算方法、一元Ce的γ→α相变、Ce的价态、有潜力的Ce(Fe,M)_(12)化合物以及其中的间隙原子效应等,最后对发展新型高性能永磁体做了问题总结与展望。

Ta掺杂对γ-TiAl基合金块状组织和力学性能的影响

研究了Ti-48Al-2Nb-2Cr-xTa(x=0,1.0,2.0)(原子分数,%)合金α单相区淬火,块状组织(γ_(m)相)的演变规律,采用EBSD(电子背散射衍射)技术对晶粒取向进行表征。结果表明,在快速冷却条件下,微量Ta元素的添加能够促进γ_(m)相的析出,促进(体积分数大于50%)或者抑制(体积分数小于50%)γ_(m)相析出的Ta元素临界含量为2%(原子分数)。Ta元素能够细化γ_(m)相亚颗粒,同时,不同种类γ_(m)变体可直接在α_(2)晶粒内以BOR形核,在生长过程中发生了沿着{111}γ密排面的变体选择,使得第二代γ_(m)变体偏离BOR。