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0.6—2.75MeV质子引起的Ta、Au和Bi的M壳层X—线产生截面
1
作者
刘兆远
马树勋
+3 位作者
杨坤山
张华林
陈熙萌
季瑷
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期60-63,共4页
用0.6~2.75MeV质子轰击Ta、An和Bi薄靶,测得M—壳层X—线产生截面。实验结果与平面波玻恩近似(PWBA)理论计算值作了比较。
关键词
质子
钽
金
铋
m-壳层
电离截面
下载PDF
职称材料
题名
0.6—2.75MeV质子引起的Ta、Au和Bi的M壳层X—线产生截面
1
作者
刘兆远
马树勋
杨坤山
张华林
陈熙萌
季瑷
机构
兰州大学现代物理系
出处
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期60-63,共4页
文摘
用0.6~2.75MeV质子轰击Ta、An和Bi薄靶,测得M—壳层X—线产生截面。实验结果与平面波玻恩近似(PWBA)理论计算值作了比较。
关键词
质子
钽
金
铋
m-壳层
电离截面
Keywords
Ta
Au
Bi
m-
sdell ionization cross sections
分类号
O562.4 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
0.6—2.75MeV质子引起的Ta、Au和Bi的M壳层X—线产生截面
刘兆远
马树勋
杨坤山
张华林
陈熙萌
季瑷
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1991
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