期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Spectra Analysis of a Novel Ti-Doped LiAlO2 Single Crystal 被引量:5
1
作者 邹军 周圣明 +3 位作者 李杨 王军 张连翰 徐军 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2005年第10期2622-2625,共4页
LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluo... LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti: LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively: The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^+ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4+-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals. 展开更多
关键词 m-plane gan(1(1)over-bar-00) NITRIDE SEMICONDUCTORS FREE ELECTROSTATICFIELDS gan FILMS GROWTH GAMMA-LIALO2(100) DEPOSITION ALUMINATE LIGAO2
下载PDF
GaN异质外延的离子化氮源方法 被引量:2
2
作者 贺仲卿 丁训民 +2 位作者 侯晓远 王迅 沈孝良 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期1123-1128,共6页
用电离N_2产生的离子束作为外延生长氮化物的N源已获得成功,在GaAs(100)衬底上长出了具有立方结晶的GaN薄膜,其(200)x射线衍射峰宽仅23’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方GaN的表面光学声子出现在损... 用电离N_2产生的离子束作为外延生长氮化物的N源已获得成功,在GaAs(100)衬底上长出了具有立方结晶的GaN薄膜,其(200)x射线衍射峰宽仅23’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方GaN的表面光学声子出现在损失能量为82meV处. 展开更多
关键词 氮化镓 外延生长 离子源 离子束
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部