VO_2薄膜相变及其温度滞后

以攀钢产V2O5为原料,采用无机胶体法制备电阻突变VO2薄膜,研究了VO2薄膜的电阻突变温度、突变数量级及其突变温度滞后. 结果表明,VO2薄膜相变温度为35oC,制备方法和衬底材质对VO2薄膜的电阻突变数量级有较大影响. 以普通玻璃和石英玻璃作衬底、用H2还原法,可使VO2薄膜的电阻突变达到2－3个数量级,用N2热分解法仅能达到1.5～2个数量级;普通玻璃衬底上VO2薄膜的电阻突变数量级小于石英玻璃衬底上的VO2薄膜的电阻突变数量级. VO2薄膜的电阻突变温度滞后为1～6oC,电阻突变数量级、衬底材质和制备方法对其有较大影响.

工业VO_2薄膜的电阻突变及其稳定性

以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0～ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温度约低 33℃ ;2 )石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大 ;3)H2 还原法制备的VO2 薄膜电阻突变数量级比N2 热分解法制备的大 ;4)在自然放置条件下短时间内VO2 薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变 ,其突变数量级降低不多 ,突变温度滞后几乎没有变化 ;5 )同等条件下石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级降低较小。

由工业V_2O_5制取VO_2薄膜

以工业V2 O5为原料 ,采用N2 热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2 薄膜 ,在自制的电阻 -温度测量装置上测量VO2 薄膜的电阻随温度的变化。结果表明 :VO2 薄膜具有明显电阻突变特性 ,其相变达到了 1.5～ 2 .0个数量级 ,相变温度约为 35℃ ;VO2 薄膜的主要成分是二氧化钒 ,同时含有少量其它的钒化合物。