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双靶溅射法制备M-SmS光学薄膜的研究
被引量:
3
1
作者
黄剑锋
曹丽云
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2004年第1期1-3,共3页
为了制备难以直接获得的金属相SmS,以Sm和Sm2S3为靶材,采用双靶子溅射系统,于单晶Si基板上直接获得了常温常压下稳定存在的M SmS微晶薄膜,并采用XRD分析、内应力和RBS成分测试等手段对M SmS的形成机理进行了研究.结果表明:M SmS薄膜的...
为了制备难以直接获得的金属相SmS,以Sm和Sm2S3为靶材,采用双靶子溅射系统,于单晶Si基板上直接获得了常温常压下稳定存在的M SmS微晶薄膜,并采用XRD分析、内应力和RBS成分测试等手段对M SmS的形成机理进行了研究.结果表明:M SmS薄膜的形成是由于薄膜中存在压应力,压应力的形成与薄膜基板温度、薄膜沉积速率、薄膜中Sm元素过量以及基板之间膨胀系数的差异有关.
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关键词
双靶溅射法
制备工艺
m-sms光学薄膜
膨胀系数
硫化钐
半导体
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职称材料
题名
双靶溅射法制备M-SmS光学薄膜的研究
被引量:
3
1
作者
黄剑锋
曹丽云
机构
陕西科技大学材料科学与工程学院
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2004年第1期1-3,共3页
文摘
为了制备难以直接获得的金属相SmS,以Sm和Sm2S3为靶材,采用双靶子溅射系统,于单晶Si基板上直接获得了常温常压下稳定存在的M SmS微晶薄膜,并采用XRD分析、内应力和RBS成分测试等手段对M SmS的形成机理进行了研究.结果表明:M SmS薄膜的形成是由于薄膜中存在压应力,压应力的形成与薄膜基板温度、薄膜沉积速率、薄膜中Sm元素过量以及基板之间膨胀系数的差异有关.
关键词
双靶溅射法
制备工艺
m-sms光学薄膜
膨胀系数
硫化钐
半导体
Keywords
SmS optical thin film
sputtering
mechanism
internal stress
rutherford backscattering spectrometry analysis
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
双靶溅射法制备M-SmS光学薄膜的研究
黄剑锋
曹丽云
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2004
3
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