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水解法制备M-VO_2纳米粉体 被引量:4
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作者 杨修春 王胤博 +1 位作者 周石山 董琰峰 《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期827-830,共4页
以VOSO_4和NH_4HCO_3为原料,采用水解沉淀法制备M-VO_2纳米粉体;借助TGA-DTA,XRD,IR和TEM等方法对VO_2形成机理进行了分析.结果表明:在226℃之前,VOSO_4的水解产物脱去物理吸附水,失重率达13.19%(质量分数),在226~415℃,脱去—OH基团,... 以VOSO_4和NH_4HCO_3为原料,采用水解沉淀法制备M-VO_2纳米粉体;借助TGA-DTA,XRD,IR和TEM等方法对VO_2形成机理进行了分析.结果表明:在226℃之前,VOSO_4的水解产物脱去物理吸附水,失重率达13.19%(质量分数),在226~415℃,脱去—OH基团,形成无定形VO_2;在DTA曲线上,375.7℃附近的放热峰为无定形VO_2向B-VO_2转变时的析晶峰;继续提高热处理温度和延长热处理时间,B-VO_2逐渐转变为M-VO_2.VO_2前躯体在氩气保护下500℃热处理3 h,即得到高纯度M-VO_2纳米粉体,其颗粒直径为25~80 nm,且大部分为单晶,相变温度为68℃. 展开更多
关键词 水解沉淀法 m-vo_2 相变温度
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