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M-Z型LiNbO_3外调制器的优化设计分析
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作者 李刚毅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期194-198,共5页
阐述了以M-Z干涉型光波导为波导结构、铌酸锂(LiNbO3)材料电光效应为基础的集成光学强度调制器的工作原理及器件结构,讨论了集成光学强度调制器性能指标,重点讨论了干涉型行波电极结构LiNbO3外调制器的优化设计思想。
关键词 m-z干涉型光波导 电光效应 集成光学强度调制器
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