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Theoretical study of the effects of vacancy and oxygen impurity on Ti_2GaC
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作者 陈俊俊 段济正 +3 位作者 赵大强 张建荣 杨阳 段文山 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第8期564-569,共6页
This paper presents the mono-vacancy formation and migration energies of each element Ti, Ga, and C in the MAX phase Ti2GaC, which are obtained by first principles calculations. We also calculate the formation energie... This paper presents the mono-vacancy formation and migration energies of each element Ti, Ga, and C in the MAX phase Ti2GaC, which are obtained by first principles calculations. We also calculate the formation energies of oxygen substituting for Ti, Ga, and C and two formation energies of oxygen interstitial in different sites. The results show that the formation energy of oxygen substituting for Ti is the highest, and the formation energies of the O substitution for Ga atoms decrease as the oxygen concentration increases. The two different formation energies of one oxygen interstitial show that the stable site for the oxygen interstitial is at the center of the triangle composed by three Ga atoms. The effects of vacancy,oxygen substitution, and the interstitial on the electronic properties of Ti2GaC are also discussed in light of the density of states and the electron charge density. 展开更多
关键词 max phase first principles vacancy oxygen impurity
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电荷俘获存储器数据保持特性第一性原理研究 被引量:1
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作者 蒋先伟 鲁世斌 +3 位作者 代广珍 汪家余 金波 陈军宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第21期283-289,共7页
本文研究HfO2掺入Al替位Hf杂质和氧空位共同掺杂对电荷俘获型存储器存储特性的影响.HfO2作为高介电常数材料由于具有缩小器件尺寸、提高器件性能等优势,被广泛用于CTM的俘获层.采用MS和VASP研究了HfO2俘获层中掺入Al对氧空位形成能的影... 本文研究HfO2掺入Al替位Hf杂质和氧空位共同掺杂对电荷俘获型存储器存储特性的影响.HfO2作为高介电常数材料由于具有缩小器件尺寸、提高器件性能等优势,被广泛用于CTM的俘获层.采用MS和VASP研究了HfO2俘获层中掺入Al对氧空位形成能的影响.同时计算了两种缺陷在不同距离下的相互作用能.计算结果表明在HfO2中掺入Al使得氧空位的形成能降低,并且三配位氧空位的形成能比四配位氧空位的形成能降低的更多.通过研究Al和三配位氧空位两种缺陷间不同距离的三种情况,计算结果表明当缺陷间距为2.107?时,体系的电荷俘获能最大;量子态数最多;布居数最小、Al—O键最长.通过研究三种体系写入空穴后键长的变化,得出当缺陷间距为2.107?时,写入空穴后体系的Al—O键长变化最小.以上研究结果表明,掺入Al后可以有效提高电荷俘获型存储器的数据保持能力.因而本文的研究为改善电荷俘获型存储器数据保持特性提供一定的理论指导. 展开更多
关键词 第一性原理 Al替位掺杂 氧空位 HFO2
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Surface oxygen-deficient Ti2SC for enhanced lithium-ion uptake
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作者 Jianguang Xu Hongyan Hang +3 位作者 Chen Chen Boman Li Jiale Zhu Wei Yao 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2023年第4期570-574,共5页
Recently, MAX phases show great potential in lithium-ion uptake due to their excellent electrical conductivity and unique lamellar-structure accommodating lithium ions. However, the reports about MAX electrodes for li... Recently, MAX phases show great potential in lithium-ion uptake due to their excellent electrical conductivity and unique lamellar-structure accommodating lithium ions. However, the reports about MAX electrodes for lithium-ion battery up to now are relatively low. Herein we report the preparation of surface oxygen-deficient Ti2SC with abundant oxygen vacancies by a facile surface engineering method. When using as a lithium storage anode, this oxygen-deficient Ti2SC delivers a high capacity of 350 m Ah/g at a current density of 400 m A/g as well as excellent rate performance, doubling the capacity compared to that of Ti2SC without oxygen vacancies. Confirmed by electrochemical impedance spectroscopy(EIS)and kinetic mechanism analyses, after reducing surface oxides and generation of oxygen vacancies, the as-received Ti2SC exhibits higher electrical conductivity and faster lithium ion diffusion. Thus this work offers a facial and effective strategy of optimizing the surface structure of MAX phases, further to achieve an enhanced lithium-ion uptake for lithium-ion batteries or capacitors. 展开更多
关键词 max phase Ti2SC oxygen vacancies Lithium-ion storage Surface engineering
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氧在钒中基本热力学行为的第一性原理研究 被引量:1
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作者 桂漓江 刘悦林 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期918-926,共9页
钒(V)是核聚变反应堆结构材料的重要候选材料。实验表明杂质氧(O)会对V的结构和力学性能产生极大的影响。采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了O在V中热力学稳定性、扩散特性以及与缺陷空位的相互作用。O在V中易于占据八面体间隙... 钒(V)是核聚变反应堆结构材料的重要候选材料。实验表明杂质氧(O)会对V的结构和力学性能产生极大的影响。采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了O在V中热力学稳定性、扩散特性以及与缺陷空位的相互作用。O在V中易于占据八面体间隙位,其溶解能为-4.942 eV。O在间隙位的最佳扩散路径为八面体间隙位→四面体间隙位→八面体间隙位,扩散激活能为1.728 eV,在此基础上对不同温度下的扩散系数在文中给出了详细分析。O在V中与空位存在很强的吸引相互作用,1个O原子和2个O原子被空位捕获时的捕获能分别为-0.484 eV和-0.510 eV。当O原子的数量超过3,其捕获能变为正值0.382 eV,因此单空位最多能够结合2个O原子,这意味着"O_1-vacancy"和"O_2-vacancy"团簇在V中很容易形成。这些研究结果将对V基合金在核聚变反应堆中的最终应用具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 杂质氧 扩散特性 缺陷空位 第一性原理
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杂质对Nb2GeC性质影响的第一性原理研究
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作者 陈俊俊 段济正 +2 位作者 张学智 姜欣 段文山 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第23期340-346,共7页
为进一步研究Nb_2GeC在辐照环境中的稳定性,本文研究了O,H和He杂质在Nb_2GeC中的稳定情况.所有杂质的研究都是从替代和间隙两个方面来进行的,计算得到了替代和间隙的形成能,存在替代和间隙时Nb_2GeC的晶格常数,以及单胞体积,并且与完美... 为进一步研究Nb_2GeC在辐照环境中的稳定性,本文研究了O,H和He杂质在Nb_2GeC中的稳定情况.所有杂质的研究都是从替代和间隙两个方面来进行的,计算得到了替代和间隙的形成能,存在替代和间隙时Nb_2GeC的晶格常数,以及单胞体积,并且与完美的晶胞进行了比较.此外,通过电荷密度分布和Mulliken布居,分析了O,H,He杂质对Nb_2GeC的电子性质的影响. 展开更多
关键词 max 第一性原理 杂质
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