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电子束外延生长Er_2O_3单晶薄膜
被引量:
1
1
作者
朱燕艳
徐润
+4 位作者
陈圣
方泽波
薛菲
樊永良
蒋最敏
《江西科学》
2005年第4期299-302,共4页
使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长。薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内容易生成硅化铒,薄膜也趋于...
使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长。薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内容易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化。而且,生长在SiO2/Si衬底上的Er2O3单晶薄膜的结晶情况和表面粗糙度比生长在清洁的Si衬底上的薄膜要好很多。
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关键词
分子束外延
Er2O3
介质膜
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职称材料
题名
电子束外延生长Er_2O_3单晶薄膜
被引量:
1
1
作者
朱燕艳
徐润
陈圣
方泽波
薛菲
樊永良
蒋最敏
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
出处
《江西科学》
2005年第4期299-302,共4页
基金
国家重点基础研究专项基金(批准号:G2001CB3095
10321003和60425411)资助的课题。
文摘
使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长。薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内容易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化。而且,生长在SiO2/Si衬底上的Er2O3单晶薄膜的结晶情况和表面粗糙度比生长在清洁的Si衬底上的薄膜要好很多。
关键词
分子束外延
Er2O3
介质膜
Keywords
mbe
,
erbium oxide
,
epitaxial growth
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子束外延生长Er_2O_3单晶薄膜
朱燕艳
徐润
陈圣
方泽波
薛菲
樊永良
蒋最敏
《江西科学》
2005
1
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职称材料
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参考文献
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