MCVD工艺沉积温度对有源光纤掺杂浓度的影响研究

以掺镱双包层光纤为例,主要介绍了用MCVD工艺及溶液掺杂法制备掺稀土离子有源光纤,通过对低温沉积疏松芯层时温度控制对最终研制的有源光纤镱离子掺杂浓度的影响研究,得出沉积温度对有源光纤掺杂浓度影响的规律,为目前国内普遍采用的MCVD工艺结合溶液掺杂技术制备掺稀土离子有源光纤提供了参考。

提高MCVD工艺单模光纤生产率的新技术

光通信迅速发展，对单模光纤的需求急剧增长。以传统的ＭＣＶＤ工艺生产单模光纤，生产率受到限制。本文首先简要分析了这些限制因素，然后综述克服这些限制因素的新技术，其中包括使用合成石英管、各种混合工艺以及可取代氢氧焰的新加热技术。最后，对我国光纤制造业的发展提出了建议。

MCVD制棒工艺对单模光纤截止波长的影响

介绍了MCVD法制棒过程中采用工艺优化处理(ramp技术)的方法,给出了采用ramp后芯棒芯层直径和折射率波动的改善结果,同时比较了两个芯棒拉丝后的光纤截止波长的波动情况。实测数据证明采用ramp工艺后能将光纤截止波长的波动范围控制在100nm之内。

热式质量流量传感器在MCVD工艺中的应用

介绍了光纤预制棒的生产工艺MCVD法和热式质量流量传感器的基本原理 ,阐述了质量流量计在MCVD工艺中的应用 ,并着重介绍了流量测量系统的硬件和软件设计。

MCVD结合溶液掺杂法制备Tm-Al共掺双包层石英光纤

利用MCVD结合溶液掺杂法制备了Tm-Al共掺石英光纤预制棒。利用电子探针对预制棒切片进行浓度测试,预制棒芯层Tm2O3的掺杂浓度为2.106wt%,Al2O3的掺杂浓度为5.047%。成功拉制内包层为六边形的掺铥光纤,通过搭建激光测试平台,掺铥光纤的斜率效率达到25%,内包层吸收系数为3.6 d B/m。

三氧化二铝掺杂物的特性及在MCVD中的应用

阐述了三氧化二铝的特性和在ＭＣＶＤ中的应用．由于三氧化二铝掺杂在光纤中具有优于二氧化锗的一些特点，被应用于不同的领域，如光纤激光器、光纤放大器和保偏光纤．但由于受三氧化二铝易形成反三氧化二铝现象的限制，一直没有广泛用于普通光纤生产中．在前人研究成果和对制备工艺理解的基础上。

光纤预制棒(MCVD法)的工艺理论研究

本文对光纤预制棒(MCVD)的工艺机理进行了理论分析,建立了沉积过程中的微粒沉降模型,该模型的基本原理与实验观察一致。对渐变型折射率分布多模光纤的结构分析表明,MCVD法能精确地控制a参数和数值孔径,为提高沉积速率和生产效率开辟了应用途径。

基于MCVD设备的RIT/RIC套管工艺探索

本文主要针对RIT/RIC套管工艺技术的缺陷,阐述利用MCVD工艺,在MCVD设备上进行芯棒制备,同时通过优化蚀刻套管技术,利用MCVD制备芯棒自身优点,在不移动芯棒的情况下,成功完成套管大棒化制备过程。

浅析光纤预制棒(MCVD法)的制备工艺研究

一 引言 MCVDI艺，即改进的化学气相沉积法，是英文Modified Chemical Vapor Deposition的简称，1973年，由贝尔实验室的Machesney等人首先提出。MCVDI艺可以生产折射率机构复杂的光纤结构。在光纤制造方面，它拥有极大的灵活性，比如光纤材料选择和光纤尺寸设计等。利用MCVD制作的多模和单模光纤在衰减、带宽、数值孔径、弯曲灵敏度、连接损耗、机械性能等方面都有较大的改进。

提高MCVD金刚石薄膜成核密度的有效方法

本文比较先在硅衬底上沉积无定形金刚石膜，然后再沉积金刚石膜，和直接在硅衬底上沉积金刚石膜的结果，前者成核密度大大提高，最后分析了提高成核密度的原因。

大MCVD预制棒的最佳化

业已开发出可拉制８０ｋｍ光纤长度的预制棒工艺。本文探讨了预制棒沉积和烧缩方面的一些重要因素。我们采用两种合成管制造出了优质预制棒。就模块直径为９．０μｍ，折射率包层略为凹陷的单模光纤而言，批量产品的平均衰减，在１３１０ｎｍ和１５５０ｎｍ波长分别小于０．３３５ｄＢ／ｋｍ和０．２０ｄｂ／ｋｍ。

MCVD多模预制棒工艺优化的探索

在MCVD多模光纤预制棒制作生产工艺过程中。由于生产条件以及工艺制造的原因，多模光纤预制棒在工艺制造中必须依赖改变玻璃粘度的反应物，才能使石英管在高温下，

氟利昂蚀刻在光纤MCVD工艺中的作用

针对单模光纤生产过程中所存在的问题，讨论了氟利昂蚀刻在ＭＣＶＤ工艺中所起的作用，并以生产中典型示例，说明蚀刻对光纤传输衰减的影响。

用气相MCVD铜-胍基技术制作陶瓷板

用气相MCVD铜-胍基技术制作的陶瓷板不含有机组分,具有优异的热可靠性和导电性能,同时它还具有很高的抗电迁移能力,介电损耗角也低于0.001和耐宇宙射线的能力,完全适合于航天航空用。

MCVD光纤预制棒熔炼工艺计算机控制系统

本文简要地介绍MCVD光纤预制棒熔炼工艺的计算机控制系统的构成和功能,并重点介绍主计算机监控系统的设计方案、扩充电路板和应用程序。

使用MCVD设备制取62.5μm大芯径、大数值孔径光纤预制棒的新工艺探索

总结了使用ＭＣＶＤ设备制备大芯径、大数值孔径光纤预制棒的新工艺。探索在不掺硼的情况下，在预制棒芯层逐层增加ＧｅＣｌ４的流量。在内包层掺氟以降低内包层折射率。解决了为达到较高折射率差Δｎ，在芯层掺锗过多而引起光纤预制棒在沉积后期和缩棒过程中由材料的热膨胀系数而导致的炸裂问题。并通过改变火焰平移速度，提高了沉积速率，缩短了制棒时间。所拉制的光纤、数值孔径ＮＡ高达０．３０。

MCVD＋OVD法制预制棒的优势

本文简单分析了预制棒芯棒和外包层各种做法的优缺点，着重介绍了MCVD+OVD这一制棒方法在控制光纤的模场直径和截止波长等方面的优势。

MCVD／OVD两步法生产单模光纤预制棒技术

本文介绍了利用MCVD／OVD两步法生产单模光纤预制棒的工艺技术并对与此相关的其它问题进行了讨论。

MCVD芯棒（预制棒）纵向均匀性的改善

本文阐述了MCVD工艺的最新进展--修正系数的采用，以及通过修正系数对工艺中的各关键参数包括燃烧器的移动速度、沉积温度，尾部压力和主要原材料的流量进行控制，从而有效地提高芯棒（预制棒）的纵向均匀性，并由此对光纤的截止波长和MFD的影响进行了分析。