浅析光纤预制棒(MCVD法)的制备工艺研究

一 引言 MCVDI艺，即改进的化学气相沉积法，是英文Modified Chemical Vapor Deposition的简称，1973年，由贝尔实验室的Machesney等人首先提出。MCVDI艺可以生产折射率机构复杂的光纤结构。在光纤制造方面，它拥有极大的灵活性，比如光纤材料选择和光纤尺寸设计等。利用MCVD制作的多模和单模光纤在衰减、带宽、数值孔径、弯曲灵敏度、连接损耗、机械性能等方面都有较大的改进。

掺杂纳米材料光纤的研制

将纳米技术与光纤技术相结合,利用改进的化学气相沉积法(MCVD)制作纳米级InP薄膜内包层光纤及在普通单模光纤纤芯中掺杂纳米级InP粒子的新型光纤,前者单位长度放大系数最大达到15.35dB/m,能在较短的长度上对信号光起到放大作用,便于集成化;后者经实验证实其纤芯具有光波导传输性能.两种新型高非线性光纤在光通信器件中的具有应用前景.

MCVD／OVD两步法生产单模光纤预制棒技术

本文介绍了利用MCVD／OVD两步法生产单模光纤预制棒的工艺技术并对与此相关的其它问题进行了讨论。

大数值孔径光纤预制件研制

我们用MCVD法研制出GeO_2-P_2O_5-SiO_2系为芯,B_2O_3-SiO_2系作包层的大数值孔径光纤,分近似突变型及渐变型折射率分布两种,NA=0.36,损耗=8dB/kM(在0.85μm波长)。研究了GeO_2-P_2O_5-SiO_2系芯成分与相对折射率差Δ和损耗特性关系。消除了芯中心折射率凹陷。实验解决了预制件芯部的炸裂问题。

电子级高纯氯研制成功

电子级高纯氯是我国电子工业当前急需的特种气体，主要用于半导体元、器件和大规模集成电路制造工序中的热氧化、反应离子蚀刻、晶体生长和MCVD法生产单膜光导纤维预制件，以及有关工业、基础科学研究等尖端技术。我国过去使用的电子级高纯氯全部依赖进口。

纯硅芯石英光纤的研制

结合改进的化学汽相沉积(MCVD)法的特点,设计纯硅芯石英光纤最佳折射率剖面结构,并对采用改进的石墨炉加热的MCVD法制备纯硅芯石英光纤预制棒和拉丝工艺进行讨论.分析了制作工艺中内包层掺氟量的提高、内包层厚度增加和纤芯折射率保持等难点的原理,并给出了解决方案.同时给出了制备的纯硅芯石英光纤预制棒的折射率剖面图和拉制成型的纯石英光纤折射率剖面图.