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用i线步进机生产64MDRAM
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作者 董志凌 《电子工业专用设备》 1994年第2期58-64,共7页
本文论述了用i线(365nm)步进机进行64MDRAM芯片曝光技术。此前,我们曾试用常规的一步曝光法和NA=0.50的i线镜头在采用和不用移相曝光技术的不同条件下进行整块64MDRAM芯片的曝光,从中发现在少数曝光层... 本文论述了用i线(365nm)步进机进行64MDRAM芯片曝光技术。此前,我们曾试用常规的一步曝光法和NA=0.50的i线镜头在采用和不用移相曝光技术的不同条件下进行整块64MDRAM芯片的曝光,从中发现在少数曝光层中存在曝光不足的情况。通过实验我们证明了应采用分块曝光法替代一步曝光法。分块曝光法是将一个单一“分步重复”图形芯片分划成多个小块进行曝光,从而可获得很高的图形分辨率。实验中采用NA=0.65的i线镜头。我们还试着分析了由i线步进机光照系统引起的相干现象和分块曝光的对准精度等问题。 展开更多
关键词 步进机 mdram 曝光法 光刻 存储器
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4M和16MDRAM对硅材料的特性要求
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作者 内田雅人 贾战利 《电子材料(机电部)》 1991年第8期1-5,共5页
关键词 半导体 硅材料 4M 16mdram
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