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一种L~U波段RF MEMS单刀十掷开关的设计
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作者 湛永鑫 吴倩楠 +2 位作者 陈玉 郭宏磊 李孟委 《舰船电子工程》 2024年第1期224-229,共6页
论文提出了一种适用于1GHz~60GHz频段的RF MEMS单刀十掷开关。该开关采用三角形上电极结构,以减小悬臂梁等效弹性系数和闭合接触面积,达到低驱动电压、高隔离度的目的。通过渐进传输线结构,改善阶跃补偿引起的信号损耗问题。仿真结果显... 论文提出了一种适用于1GHz~60GHz频段的RF MEMS单刀十掷开关。该开关采用三角形上电极结构,以减小悬臂梁等效弹性系数和闭合接触面积,达到低驱动电压、高隔离度的目的。通过渐进传输线结构,改善阶跃补偿引起的信号损耗问题。仿真结果显示:该单刀十掷开关的驱动电压为13V,在1GHz~60GHz频段范围内,输入端两侧输出端口的插入损耗<2dB,其余八个端口插入损耗≤0.59dB,所有端口隔离度均>30dB。此开关可适用于无线通信系统、雷达系统和仪器测量系统等对射频性能要求高的领域内。 展开更多
关键词 宽频带 单刀十掷开关 RF mems开关 三角形上电极 渐进传输线
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Design and fabrication of a series contact RF MEMS switch with a novel top electrode
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作者 Qiannan Wu Honglei Guo +4 位作者 Qiuhui Liu Guangzhou Zhu Junqiang Wang Yonghong Cao Mengwei Li 《Nanotechnology and Precision Engineering》 CAS CSCD 2023年第1期47-55,共9页
Radio-frequency(RF)micro-electro-mechanical-system(MEMS)switches are widely used in communication devices and test instruments.In this paper,we demonstrate the structural design and optimization of a novel RF MEMS swi... Radio-frequency(RF)micro-electro-mechanical-system(MEMS)switches are widely used in communication devices and test instruments.In this paper,we demonstrate the structural design and optimization of a novel RF MEMS switch with a straight top electrode.The insertion loss,isolation,actuator voltage,and stress distribution of the switch are optimized and explored simultaneously by HFSS and COMSOL software,taking into account both its RF and mechanical properties.Based on the optimized results,a switch was fabricated by a micromachining process compatible with conventional IC processes.The RF performance in the DC to 18 GHz range was measured with a vector network analyzer,showing isolation of more than 21.28 dB over the entire operating frequency range.Moreover,the required actuation voltage was about 9.9 V,and the switching time was approximately 33μs.A maximum lifetime of 109 switching cycles was obtained.Additionally,the dimension of the sample is 1.8 mm×1.8 mm×0.3 mm,which might find application in the current stage. 展开更多
关键词 RF mems switch communication devices straight top electrode
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一种X波段三叉H型低电压RF MEMS开关设计
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作者 南敬昌 高飞 +3 位作者 李德润 翟雷应 李朝启 刘世泽 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期812-818,共7页
针对射频电路系统所需要的低电压,高隔离度,低插入损耗的应用需求,通过对开关正对面积对驱动电压产生的影响进行探究,设计了一款应用于X波段三叉H型的RF MEMS开关。开关具有六条悬臂梁作为支撑,通过增大上极板面积来降低开关的开启电压... 针对射频电路系统所需要的低电压,高隔离度,低插入损耗的应用需求,通过对开关正对面积对驱动电压产生的影响进行探究,设计了一款应用于X波段三叉H型的RF MEMS开关。开关具有六条悬臂梁作为支撑,通过增大上极板面积来降低开关的开启电压。分别使用HFSS和COMSOL对开关的射频性能和机械性能进行仿真,开关最终优化后,在8-12 GHz内,插入损耗为0.26~0.57 dB,隔离度大于31.30 dB。在10.1 GHz达到最优值,插入损耗为0.40 dB,隔离度为50.25 dB。开关电压在11V时就能够实现状态转换,开关的响应时间为18μs。此开关可与射频可重构器件结合,应用于新一代射频微波领域。 展开更多
关键词 射频微机械开关 ANSOFT HFSS COMSOL
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一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器
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作者 孙俊峰 姜理利 +4 位作者 刘水平 郁元卫 朱健 黎明 陈章余 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第4期353-358,共6页
设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触... 设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC~15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。 展开更多
关键词 数控衰减器 晶圆级封装 RF mems mems开关
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射频MEMS开关寿命测试系统的设计与实现
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作者 史泽民 高旭东 +2 位作者 王耀利 吴倩楠 李孟委 《电子测量技术》 北大核心 2023年第9期42-47,共6页
针对射频MEMS开关寿命测试成本昂贵,测试连线复杂,且随着射频MEMS开关的尺寸不断缩小,传统测试效率低、测试任务只能在实验室进行等问题,本文设计并实现了一种小型且集成化的射频MEMS开关测试系统,组建了具备信号发生、波形实时监测、... 针对射频MEMS开关寿命测试成本昂贵,测试连线复杂,且随着射频MEMS开关的尺寸不断缩小,传统测试效率低、测试任务只能在实验室进行等问题,本文设计并实现了一种小型且集成化的射频MEMS开关测试系统,组建了具备信号发生、波形实时监测、寿命计算、数据记录和测试报告打印等功能的射频MEMS开关测试系统,并用该系统对某款射频MEMS开关进行了初步测试评价。结果表明该系统较好的完成了射频MEMS开关的开关电压、开关时间和冷、热寿命的测试,能够满足射频MEMS开关的测试要求,证明了该测试系统的实用性和测试工作的准确性。 展开更多
关键词 射频mems开关 mems测试 小型化测试系统 开关寿命 冷寿命 热寿命
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高速MEMS开关长时间实时监测系统设计 被引量:1
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作者 程亚昊 王志斌 +1 位作者 王耀利 景宁 《电子设计工程》 2023年第2期16-19,24,共5页
为了监测射频MEMS开关的工作状态,设计了一种基于FPGA复原波形计数技术的长时间工作状态监测系统。该系统由驱动和检测两部分构成:对于驱动电压比较高的MEMS芯片设计了可调的高压驱动电路,电压可调范围在40_(Vpp)~110_(Vpp)之间连续变化... 为了监测射频MEMS开关的工作状态,设计了一种基于FPGA复原波形计数技术的长时间工作状态监测系统。该系统由驱动和检测两部分构成:对于驱动电压比较高的MEMS芯片设计了可调的高压驱动电路,电压可调范围在40_(Vpp)~110_(Vpp)之间连续变化;通过高压驱动控制射频MEMS器件的通断,将通过的射频信号调理采集并通过阈值判定开关通断的有效性。该系统达到了实时监测射频MEMS开关工作状态的目的,另一方面,在长时间连续工作条件下,监测系统的计数功能可实现对开关寿命的测试。 展开更多
关键词 射频mems开关 高压偏置电路 寿命测试 FPGA BCD码 A/D
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一种L~Ka波段的双边多触点型RF MEMS单刀六掷开关
7
作者 陈玉 吴倩楠 +3 位作者 湛永鑫 李晓琪 郭宏磊 李孟委 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第2期326-332,共7页
目前通讯、导航等领域对单刀多掷开关有广泛的需求,而此类开关存在体积大、工作频带窄、插入损耗大、隔离度低等问题。文章设计了一种串联接触式双边多触点型RF MEMS单刀六掷开关。开关的下电极上设有三个圆形触点,远端连接有喇叭状过渡... 目前通讯、导航等领域对单刀多掷开关有广泛的需求,而此类开关存在体积大、工作频带窄、插入损耗大、隔离度低等问题。文章设计了一种串联接触式双边多触点型RF MEMS单刀六掷开关。开关的下电极上设有三个圆形触点,远端连接有喇叭状过渡带,其上是带有带状孔的“X”形上电极,通过减小接触电阻和耦合电容来改善射频性能。经HFSS软件仿真优化,该开关工作频率可覆盖L~Ka波段,且在26.5 GHz下,插入损耗≤0.3 dB,隔离度≥37 dB,性能良好,尺寸为1.05×1.05×0.5 mm^(3)。结果表明,设计的单刀六掷开关射频性能具有较大优势,同时满足小型化的要求,因此在L~Ka波段的导航、认知无线网络以及微波测试等领域具有较大的应用前景。 展开更多
关键词 单刀六掷开关 mems 多通道 高隔离度
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一种L~E波段的混合型射频MEMS单刀双掷开关设计
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作者 李晓琪 湛永鑫 +2 位作者 潘长凯 吴倩楠 李孟委 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期146-152,共7页
针对传统RF MEMS单刀双掷(SPDT)开关应用存在频段低、插入损耗高、隔离度低等问题,设计了一种混合型SPDT开关,通过在一条通路上设置接触式开关和电容式开关,实现了在L~E频段下的低插入损耗和高隔离度。通过设计蛇形上电极结构,降低了上... 针对传统RF MEMS单刀双掷(SPDT)开关应用存在频段低、插入损耗高、隔离度低等问题,设计了一种混合型SPDT开关,通过在一条通路上设置接触式开关和电容式开关,实现了在L~E频段下的低插入损耗和高隔离度。通过设计蛇形上电极结构,降低了上电极的弹性系数,进而降低开关上电极下拉所需的驱动电压。采用HFSS仿真软件对混合型SPDT开关的射频性能参数进行了优化,并利用COMSOL对开关的蛇形上电极进行应力-位移分析。仿真结果表明,在DC~90 GHz的频段下,SPDT开关的插入损耗小于1.5 dB@90 GHz,隔离度大于52 dB@67 GHz、29 dB@90 GHz。此开关适用于无线通信系统、雷达系统和仪器测量系统等对工作频段要求高的领域内。 展开更多
关键词 射频mems开关 单刀双掷开关 混合型开关 蛇形上电极
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减少静电漂移的高可靠RF MEMS开关研究
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作者 翟雷应 张钰瑶 +1 位作者 刘文进 南敬昌 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2023年第11期41-55,共15页
RF MEMS开关具有制作工艺简单、易于集成等优点。而目前由电介质膜电荷积累造成的静电漂移及频繁机械碰撞导致严重的可靠性问题阻碍了其嵌入终端射频系统稳定性的提高。因此结构上采用电介质悬空薄膜改善电荷积累问题,并对开关机械结构... RF MEMS开关具有制作工艺简单、易于集成等优点。而目前由电介质膜电荷积累造成的静电漂移及频繁机械碰撞导致严重的可靠性问题阻碍了其嵌入终端射频系统稳定性的提高。因此结构上采用电介质悬空薄膜改善电荷积累问题,并对开关机械结构限位实现开关的动态缓冲,降低高频次的机械碰撞损伤。同时依靠凸台触点结构,减少静电漂移。确立了电介质膜充电、开关寿命的理论模型并预测开关的寿命。结果表明,所设计开关寿命超过12900 h。相比已有RF MEMS开关,在两极板间距及金属梁-电介质膜间距分别相等的情况下,所提出的开关结构,寿命分别提高253倍和166倍,极大地改善静电漂移问题。在52.2 GHz工作频率下,隔离度为-41.31 dB,损耗为-0.25 dB,响应时间为50μs,为高性能、高可靠、长寿命射频开关提供了理论模型。 展开更多
关键词 RF mems开关 可靠性 介质充电 开关寿命 电荷注入 接触碰撞
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一种基于光刻胶牺牲层的RF MEMS开关制备方法
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作者 高旭东 史泽民 +1 位作者 吴倩楠 李孟委 《舰船电子工程》 2023年第3期209-213,共5页
论文针对RF MEMS开关上电极传统的牺牲层工艺存在工艺兼容性差、释放时热应力大等问题,提出了一种基于光刻胶牺牲层的MEMS开关制备方法。通过采用在氮气环境下进行固化处理的方法,解决了光刻胶作为牺牲层时容易出现的表面褶皱、破裂等问... 论文针对RF MEMS开关上电极传统的牺牲层工艺存在工艺兼容性差、释放时热应力大等问题,提出了一种基于光刻胶牺牲层的MEMS开关制备方法。通过采用在氮气环境下进行固化处理的方法,解决了光刻胶作为牺牲层时容易出现的表面褶皱、破裂等问题,同时提高了牺牲层表面的平整度;通过氧等离子体干法刻蚀释放工艺,获得了具有高平整度和低粗糙度的MEMS开关上电极结构。测试结果表明,基于光刻胶牺牲层工艺制备的RF MEMS开关在DC-20GHz频段内性能良好,隔离度均小于-30.0dB,插入损耗均大于-1.0dB。该RF MEMS开关具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 RF mems开关 上电极 牺牲层 干法释放
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一种高功率射频MEMS开关设计
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作者 宁朝东 吴倩楠 +1 位作者 王俊强 李孟委 《舰船电子工程》 2023年第2期185-189,共5页
随着无线通信设备小型化以及宽通信范围的需求导致器件的功率密度要求越来越高。射频前端接收器和基站天线等射频通信应用要求开关能处理1W~2W的射频信号。论文设计了一种低损耗、高功率容量的四触点射频MEMS开关。文中对四触点射频MEM... 随着无线通信设备小型化以及宽通信范围的需求导致器件的功率密度要求越来越高。射频前端接收器和基站天线等射频通信应用要求开关能处理1W~2W的射频信号。论文设计了一种低损耗、高功率容量的四触点射频MEMS开关。文中对四触点射频MEMS开关基地材料和上电极结构进行优化,提升了四触点射频MEMS开关的射频性能和功率容量。经HFSS电磁仿真可知:该射频MEMS开关在L~K波段内,插入损耗≤0.2GHz,隔离度≥27dB,经理论计算,该射频MEMS开关的功率容量为2.17W。 展开更多
关键词 功率容量 射频mems开关 触点
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K波段可调功率分配比的MEMS五端口环形结研究
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作者 蒋亦非 戴勇 +3 位作者 张志华 刘佳琦 蔡春华 张志强 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期511-515,共5页
提出了一种基于MEMS悬臂梁开关的五端口环形结的结构,以实现可调谐的功率分配比。在结构上,采用MEMS悬臂梁开关控制环形结信号线是否接地短路,进而控制整体电路的拓扑结构,达到输出端口的功率分配比可调的效果。建立了五端口环形结等效... 提出了一种基于MEMS悬臂梁开关的五端口环形结的结构,以实现可调谐的功率分配比。在结构上,采用MEMS悬臂梁开关控制环形结信号线是否接地短路,进而控制整体电路的拓扑结构,达到输出端口的功率分配比可调的效果。建立了五端口环形结等效电路的S参数微波系统模型,并通过理论模型与仿真结果相比较,验证了模型的正确性。利用该模型可知,对于四分之一波长时,在UP态,端口1的微波信号功率被等分至端口2和端口4,端口3和端口5近乎无输出;在DOWN态,端口1的微波信号功率被分至端口2、端口3、端口4和端口5输出,其中端口2和端口4的输出功率相等,而端口3和端口5的输出功率为端口2或端口4的一半。经过有限元软件验证,在K波段中心频率22 GHz附近,UP态时S_(11),S_(31),S_(51)均小于-20 dB,S_(21),S_(41)均大于-3.3 dB;DOWN态时S_(11)小于-17 dB,S_(21)-S_(31)和S_(41)-S_(51)均接近3 dB,验证了设计的有效性。 展开更多
关键词 五端口 环形结 可调功率 mems 悬臂梁开关
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A novel multifunctional electronic calibration kit integrated by MEMS SPDT switches 被引量:3
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作者 王姗姗 吴倩楠 +4 位作者 高跃升 余建刚 曹钎龙 韩路路 李孟委 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第11期644-649,共6页
Design and simulation results of a novel multifunctional electronic calibration kit based on microelectromechanical system(MEMS)single-pole double-throw(SPDT)switches are presented in this paper.The short-open-load-th... Design and simulation results of a novel multifunctional electronic calibration kit based on microelectromechanical system(MEMS)single-pole double-throw(SPDT)switches are presented in this paper.The short-open-load-through(SOLT)calibration states can be completed simultaneously by using the MEMS electronic calibration,and the electronic calibrator can be reused 10^(6) times.The simulation results show that this novel electronic calibration can be used in a frequency range of 0.1 GHz–20 GHz,the return loss is less than 0.18 dB and 0.035 dB in short-circuit and open-circuit states,respectively,and the insertion loss in through(thru)state is less than 0.27 dB.On the other hand,the size of this novel calibration kit is only 6 mm×2.8 mm×0.8 mm.Our results demonstrate that the calibrator with integrated radiofrequency microelectromechanical system(RF MEMS)switches can not only provide reduced size,loss,and calibration cost compared with traditional calibration kit but also improves the calibration accuracy and efficiency.It has great potential applications in millimeter-wave measurement and testing technologies,such as device testing,vector network analyzers,and RF probe stations. 展开更多
关键词 microelectromechanical system(mems) electronic calibration kit single-pole double-throw(SPDT)switch short-open-load-through(SOLT)calibration
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Sensitivity analysis of pull-in voltage for RF MEMS switch based on modified couple stress theory 被引量:1
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作者 Junhua ZHU Renhuai LIU 《Applied Mathematics and Mechanics(English Edition)》 SCIE EI CSCD 2015年第12期1555-1568,共14页
An approximate analytical model for calculating the pull-in voltage of a stepped cantilever-type radio frequency (RF) micro electro-mechanical system (MEMS) switch is developed based on the Euler-Bernoulli beam an... An approximate analytical model for calculating the pull-in voltage of a stepped cantilever-type radio frequency (RF) micro electro-mechanical system (MEMS) switch is developed based on the Euler-Bernoulli beam and a modified couple stress theory, and is validated by comparison with the finite element results. The sensitivity functions of the pull-in voltage to the designed parameters are derived based on the proposed model. The sensitivity investigation shows that the pull-in voltage sensitivities increase/decrease nonlinearly with the increases in the designed parameters. For the stepped cantilever beam, there exists a nonzero optimal dimensionless length ratio, where the pull-in voltage is insensitive. The optimal value of the dimensionless length ratio only depends on the dimensionless width ratio, and can be obtained by solving a nonlinear equation. The determination of the designed parameters is discussed, and some recommendations are made for the RF MEMS switch optimization. 展开更多
关键词 stepped cantilever beam pull-in voltage modified couple stress theory radio frequency (RF) micro electro-mechanical system mems switch analytical solution sensitivity analysis
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A novel low-loss four-bit bandpass filter using RF MEMS switches 被引量:1
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作者 韩路路 王宇 +3 位作者 吴倩楠 张世义 王姗姗 李孟委 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第1期680-685,共6页
This paper details the design and simulation of a novel low-loss four-bit reconfigurable bandpass filter that integrates microelectromechanical system(MEMS)switches and comb resonators.A T-shaped reconfigurable resona... This paper details the design and simulation of a novel low-loss four-bit reconfigurable bandpass filter that integrates microelectromechanical system(MEMS)switches and comb resonators.A T-shaped reconfigurable resonator is reconfigured in a'one resonator,multiple MEMS switches'configuration and used to gate the load capacitances of comb resonators so that a multiple-frequency filtering function is realized within the 7-16 GHz frequency range.In addition,the insertion loss of the filter is less than 1.99 dB,the out-of-band rejection is more than 18.30 dB,and the group delay is less than 0.25 ns.On the other hand,the size of this novel filter is only 4.4 mm×2.5 mm×0.4 mm.Our results indicate that this MEMS reconfigurable filter,which can switch 16 central frequency bands through eight switches,achieves a low insertion loss compared to those of traditional MEMS filters.In addition,the advantages of small size are obtained while achieving high integration. 展开更多
关键词 four-bit RF microelectromechanical system(mems)switch reconfigurable filter comb resonator
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基于MEMS开关的可调实时延时器设计
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作者 史泽民 高旭东 +1 位作者 吴倩楠 李孟委 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期128-133,共6页
为了有效解决相控阵雷达/天线瞬时带宽小、孔径效应严重、功耗大等问题,将射频MEMS开关引入实时可调延时器结构中,设计了一种基于射频MEMS开关的实时可调延时器。通过MEMS双掷开关选择具有不同电长度的延时路径,在DC~20 GHz内实现了5位... 为了有效解决相控阵雷达/天线瞬时带宽小、孔径效应严重、功耗大等问题,将射频MEMS开关引入实时可调延时器结构中,设计了一种基于射频MEMS开关的实时可调延时器。通过MEMS双掷开关选择具有不同电长度的延时路径,在DC~20 GHz内实现了5位的射频信号延时。利用HFSS三维电磁仿真软件对延时单元的几何参数进行仿真优化,得到5个可切换延时状态的延时量,分别为64.76 ps,101.46 ps,137.97 ps,174.61 ps,210.98 ps,延时步进为36.5 ps,整体面积约为5 mm^(2)。与其他实时可调延时器相比,该实时可调延时器具有多可控位数、大延时带宽积、高集成度等优点。 展开更多
关键词 微机电系统开关 可调实时延时器 实时延时线 群时延
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Optical simulation of in-plane-switching blue phase liquid crystal display using the finite-difference time-domain method 被引量:1
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作者 窦虎 马红梅 孙玉宝 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第9期117-121,共5页
The finite-difference time-domain method is used to simulate the optical characteristics of an in-plane switching blue phase liquid crystal display.Compared with the matrix optic methods and the refractive method,the ... The finite-difference time-domain method is used to simulate the optical characteristics of an in-plane switching blue phase liquid crystal display.Compared with the matrix optic methods and the refractive method,the finite-difference timedomain method,which is used to directly solve Maxwell's equations,can consider the lateral variation of the refractive index and obtain an accurate convergence effect.The simulation results show that e-rays and o-rays bend in different directions when the in-plane switching blue phase liquid crystal display is driven by the operating voltage.The finitedifference time-domain method should be used when the distribution of the liquid crystal in the liquid crystal display has a large lateral change. 展开更多
关键词 finite-difference time-domain method blue phase liquid crystal display in-plane switching convergence effect
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Effects of Squeeze-film Air Damping on Properties of MEMS Inertial Switch in Fuse
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作者 牛兰杰 李晓杰 翟蓉 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS 2010年第1期20-24,共5页
The squeeze-film air damping exists in a lot of micro-electronic-mechanical system (MEMS) devices unavoidably. The effects of air damping in traditional inertial switch with spring-mass system can be ignored for its l... The squeeze-film air damping exists in a lot of micro-electronic-mechanical system (MEMS) devices unavoidably. The effects of air damping in traditional inertial switch with spring-mass system can be ignored for its large volume and mass. But, many properties of MEMS switch, such as sensitivity, resolution and contact time, are affected by the air damping caused from the squeezed air film between two parallel plates moving relatively. Based on the conservation laws for mass and flux and the nonlinear Reynolds equation, the coefficient of squeeze-film damping was derived. The dynamic responses of the inertial switch with and without squeeze-film damping were simulated by using software ANSYS. The simulated results show that the sensitivity and contact time of the switch descend by about 5% and 15%, respectively, when the effects of squeeze-film damping are considered. 展开更多
关键词 engineering mechanics FUSE mems inertial switch squeeze-film air damping
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Probing the magnetization switching with in-plane magnetic anisotropy through field-modified magnetoresistance measurement
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作者 郝润润 张昆 +4 位作者 李迎港 曹强 张学莹 朱大鹏 赵巍胜 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第1期101-106,共6页
Effective probing current-induced magnetization switching is highly required in the study of emerging spin-orbit torque(SOT)effect.However,the measurement of in-plane magnetization switching typically relies on the gi... Effective probing current-induced magnetization switching is highly required in the study of emerging spin-orbit torque(SOT)effect.However,the measurement of in-plane magnetization switching typically relies on the giant/tunneling magnetoresistance measurement in a spin valve structure calling for complicated fabrication process,or the non-electric approach of Kerr imaging technique.Here,we present a reliable and convenient method to electrically probe the SOT-induced in-plane magnetization switching in a simple Hall bar device through analyzing the MR signal modified by a magnetic field.In this case,the symmetry of MR is broken,resulting in a resistance difference for opposite magnetization orientations.Moreover,the feasibility of our method is widely evidenced in heavy metal/ferromagnet(Pt/Ni_(20)Fe_(80) and W/Co_(20)Fe_(60)B_(20))and the topological insulator/ferromagnet(Bi_(2)Se_(3)/Ni_(20)Fe_(80)).Our work simplifies the characterization process of the in-plane magnetization switching,which can promote the development of SOT-based devices. 展开更多
关键词 MAGNETORESISTANCE in-plane magnetization switching electrical detection
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MEMS光开关 被引量:17
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作者 梁春广 徐永青 杨拥军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1551-1556,共6页
采用 MEMS体硅工艺 ,制作了三种结构的微机械光开关 :水平驱动 2 D(二维 )光开关、垂直驱动 2 D光开关和扭摆驱动 2 D、3D(三维 )光开关 .水平驱动光开关采用单层体硅结构 ,另外两种光开关都采用了硅 -玻璃的键合结构 .它们的工作原理... 采用 MEMS体硅工艺 ,制作了三种结构的微机械光开关 :水平驱动 2 D(二维 )光开关、垂直驱动 2 D光开关和扭摆驱动 2 D、3D(三维 )光开关 .水平驱动光开关采用单层体硅结构 ,另外两种光开关都采用了硅 -玻璃的键合结构 .它们的工作原理都基于硅数字微镜技术 .这三种光开关均采用了静电力驱动 ,具有较低的驱动电压 ,其中扭摆式光开关的驱动电压小于 15 V.对于 2 D开关阵列 ,在硅基上制作了光纤自对准耦合槽 .对后两种光开关的开关特性进行了计算机模拟与分析 ,结果表明这两种光开关具有小于 展开更多
关键词 微机械电子系统 光开关 硅-玻璃键合 光通信
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