MEMS封装中全Cu_(3)Sn焊点组织演变及剪切性能

对Cu/Sn+Sn/Cu结构进行了低温键合,在不同的键合时间下制备焊点,分析了键合时间对焊点界面组织演变的影响和全Cu_(3)Sn焊点制备过程中界面反应机理,对焊点的剪切性能进行了分析和研究。结果表明,随着键合时间的增加,Cu_(6)Sn_(5)逐渐变成扇贝状并不断长大。键合时间达到90 min时,Sn完全被消耗,继续增加键合时间,Cu_(3)Sn以Cu_(6)Sn_(5)的消耗为代价不断长大,最终全部转变成Cu_(3)Sn。随着加载速率的增加,全Cu3Sn焊点的抗剪切强度值逐渐减小,焊点界面两侧Cu3Sn界面处沿晶断裂占焊点断裂模式的比例越来越大,因为这种沿晶断裂的抗剪切能力较小,所以焊点的抗剪切强度随着加载速率的增加而下降。

MEMS封装技术及设备

概述了进入后摩尔时代的MEMS技术,通过TSV技术整合MEMS与CMOS制程,使得半导体与MEMS产业的发展由于技术的整合而出现新的商机。主要介绍了MEMS器件封装所面临的挑战及相应的封装设备。

MEMS封装技术及标准工艺研究

分析了MEMS的特点及封装工艺对MEMS的影响,给出了对MEMS封装的基本要求。研究了MEMS封装工艺中的一些关键技术,即硅-硅和硅-玻璃键合技术、清洗与引线键合技术、焊料贴片和胶粘技术以及气密封帽技术等,并给出了一些重要的研究结果。同时也介绍对几种MEMS惯性器件的封装要求及封装方法。

MEMS封装技术研究进展与趋势

介绍了MEMS(microelectromechanicalsystems)封装技术的研究现状和存在的问题,重点介绍了倒装芯片技术(flip chiptechnology简称FCT)、上下球栅阵列封装技术和多芯片模块封装技术三种很有前景的封装技术的特点及其在MEMS领域的应用实例,并且对MEMS封装有可能的发展趋势进行了分析。

MEMS封装中阳极键合技术的影响因素研究和设计因素分析

结合MEMS气密性封装的需要,以玻璃与硅晶片阳极键合为例,给出阳极键合的封装工艺,从键合机理的角度研究了玻璃与硅阳极键合的影响因素,并就玻璃与硅阳极键合的设计因素做了分析,得到直径为100mm的Pyrex7740玻璃晶片和硅晶片在键合温度为500℃时,硅晶片的径向应力σrr=134.29MPa;键合后晶片的径向膨胀μ=0.1274mm。

MEMS封装技术的现状与发展趋势

介绍MEMS(MicroElectromechanicalSystem)封装技术的难点和现状,重点介绍倒装芯片技术(FCT)、上下球栅阵列封装技术(TB-BGA)和多芯片封装技术(MCMs)三种很有前景的封装技术的特点,并且对MEMS封装的发展趋势进行分析。

RF MEMS封装的研究与发展

本文介绍了RF MEMS封装的分类、特殊性和基本要求。根据RF MEMS封装的基本要求,文章从封装材料、封装结构、焊接技术、电连接技术和封装新技术等方面介绍了RF MEMS封装的研究与发展现状。

应用于MEMS封装的TSV工艺研究

开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。

采用Chip-on—MEMS封装制作传感器件

VTI公司已能够采用现有的制造技术制作体积更小、成本更低的器件，目前又开始采用晶片级封装来制作更复杂的传感器件。其优点是可以降低批量生产的成本、减少器件尺寸。在2007年VTI已证明了开发异构系统封装的潜能，这种方法具有在不同晶片上分别制作MEMS器件和ASIC的优点，

不断发展的MEMS封装、装配和测试

因为封装/装配/测试可占到MEMS成本的60%,所以用新的方法来实施这些工艺对于商业化而言至关重要 历史上,在MEMS（微机电系统）整个成功商业化的进程中,封装/装配/测试（P/A/T）对于器件研发而言只占据着无关紧要的位置。最开始,MEMS实际上是独立的器件,它被插入到特别订制的机械外壳或标准IC封装中,并以随机的方式进行测试。

MEMS封装朝向晶圆级发展

传统的MEMS长期依赖陶瓷封装，虽然行之有效，但MEMS产业已经酝酿向晶圆级封装（WLP）技术转变，而这一转变的部分驱动力则来自于越来越多的晶圆代工厂开始涉足于MEMS领域。

激光封装MEMS芯片控制系统中的VC++串口通信技术

介绍一种基于串口通信,激光封装MEMS芯片的远程控制应用方案。该方案是采用VC++编程实现串口通信(SPC),用于控制激光微焊接中激光能源的开关、门信号的开关、PWM百分比和PWM频率。实验表明该方案实际可行,结果满足实际的需要。

MEMS的封装技术

相对于目前MEMS器件或系统的设计与制作技术,落后的封装技术己成为制约MEMS产品进入市场的瓶颈。针对IC封装技术,介绍了MEMS封装技术特点和功能,分析了封装成本的影响因素,并给出了常用MEMS封装的工艺流程和主要封装技术,最后,对MEMS封装的发展趋势做了分析。

MEMS传感器的封装

首先通过对MEMS封装所面临的挑战进行分析,提出了MEMS封装所需要考虑的一些问题。然后从芯片级、晶片级和系统级三个方面详细介绍了倒装焊、BGA、WLP、MCM和3D封装等先进的封装技术,并给出了一些应用这些封装方式对MEMS系统封装的实例。最后对MEMS和MEMS封装的走向进行了展望,并对全集成MEMS系统的封装进行了一些探讨。

MEMS后封装技术

通过对局部加热与压焊技术的研讨,介绍了微系统后封装技术,微系统封装技术在微电机系统(MEMS)蓬勃兴起的领域已成为主要的研究课题。构建多应用后封装工艺不仅推动了此领域的发展,而且加速了产品的商业化进程。文章概述了通过局部加热和压焊技术形成创新型后封装的方法,阐明了目前MEMS封装技术和晶片压焊工艺技术的工程基础。重点陈述了通过选择性密封工艺过程,包括集成低压力化学汽相淀积(LPCVD)密封工艺、局部硅-玻璃熔融压焊、局部焊料压焊和局部CVD(化学汽相淀积)压焊工艺过程。

MEMS器件真空封装用非蒸散型吸气剂薄膜研究概述

MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装,从最大程度地减少残余气体,且真空封装水平的高低决定了器件的性能优劣甚至决定器件能否正常工作。常规的MEMS器件封装是在真空腔内放置块体吸气剂,占空间且容易产生微小颗粒污染。在器件的真空腔室内镀上吸气剂薄膜,吸气剂薄膜在器件高温键合的同时被激活,就可在后期维持真空腔内的真空度。非蒸散型吸气剂薄膜激活后在室温下即具有优异的吸气性能,应用于MEMS器件真空封装可以提高器件的寿命和可靠性。目前,提高非蒸散型吸气剂薄膜的吸气性能,降低其激活温度是国内外研究的焦点。本文简要介绍了非蒸散型吸气剂薄膜的吸气原理,从膜系材料和制备技术两方面分析了国内外研究现状。在膜材料方面,目前采用ⅣB族+ⅤB族组合的三元合金作为非蒸散型吸气剂薄膜的膜系材料。另外,在材料中掺入Fe、稀土元素等进行薄膜结构的修饰也是较常用的手段。值得指出的是,TiZrV合金薄膜是兼具较好的吸气性能和最低激活温度的非蒸散型吸气剂(NEG)薄膜。在制备技术方面,MEMS器件用非蒸散型吸气剂薄膜一般采用磁控溅射镀膜,磁控溅射镀膜工艺的关键是制备出柱状的纳米晶结构,该结构存在大量的晶界,可促进原子的扩散,降低激活温度。磁控溅射镀膜工艺的研究围绕靶材选择、基片温度、溅射电压、溅射气氛等。探索综合性能更优的新型材料体系和增大薄膜的比表面积仍然是目前非蒸散型吸气剂薄膜研究的关键。本文最后对非蒸散型吸气剂薄膜的研究趋势进行了展望,指出加入调节层的双层膜的激活性能和吸气性能优于单层膜,但调控机理有待明确,今后可以在TiZrV薄膜研究的基础上进一步进行双层薄膜的研究,也可横向拓展进行新型薄膜体系,如ZrCoRE等新型合金薄膜的研究。

MEMS真空封装的真空度测量

本文将音叉型石英晶振作为陪片直接封装在MEMS真空封装的壳体中,采用直接数字频率合成器(DDS)作为信号源激励石英晶振,利用相位幅度比较电路比较石英晶体两端信号的相位和幅度并输出相应的电压信号,经过A/D转换后送至单片机,经过处理和标定后用于测量和监控MEMS封装内部的真空度。运用该方法测试发现MEMS真空封装内部的真空度低于封装环境的真空度,并在此基础上对真空封装的MEMS器件的真空度进行了长期跟踪测试。

芯片粘接工艺对MEMS性能影响的单元库法模型

芯片粘接工艺引起的器件-封装热失配会对MEMS器件的可靠性和性能产生显著影响.常用FEM模拟在分析此类问题时比较费时且缺乏明确的理论意义.文中基于单元库法思路提出了该类问题的理论建模方法,并依此举例分析了芯片粘接工艺中各可变参数对双端固支梁pull-in电压的影响,其结论与Ansys模拟结果一致.该方法简单准确,对MEMS的封装-器件协同设计将有着实际的意义.

MEMS技术的研究现状和新进展

介绍MEMS技术几个主要方面的研究现状和最新进展:MEMS的加工技术、封装技术、检测技术。阐述MEMS技术仍面临的问题。

RF MEMS国内外的发展趋势及我国的发展对策

介绍了近期RF MEMS国内外的研究概况及其应用领域,分析了RF MEMS市场前景,展望了未来发展趋势,提出了我国发展对策.