基于SOI技术的MEMS超声分离器制备方法研究

基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离器腔体制作方法。提出将SOI(silicon on insulator)片作为刻蚀基底,采用等离子体干法刻蚀、硅/玻璃键合以及激光热加工等技术制备分离器,成功制备出腔体深度分别为137μm和200μm的分离器,腔体深度误差均在±2μm以内,腔体表面粗糙度Ra<10 nm,腔体侧壁垂直度达83°。为MEMS超声分离器的制备提供了一种简便、高效的工艺方法。