GaAs MMIC开关MESFET电路建模技术研究

基于Agilent公司的IC-CAP软件及GaAs圆片工艺加工线,研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路(GaAs M-MMIC)开关MESFET电路建模技术及其应用。讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性,提出了高精度GaAs MMIC开关MESFET简化电路模型及不同栅宽模型参数的比例缩放方案,扩展了电路模型的应用频率范围,解决了电路模型参教提取中的关键问题,如:开关MESFET模型的版图设计、微波探针校准图形的设计、电路模型参数的提取、统计和确认。采用该技术提取的电路模型参数,成功研制出GaAs MMIC控制电路系列产品,验证了该方法的有效性。

宽带GaAs MESFET开关模型

提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 。

GaAs MESFET开关的设计和建模

简要分析了MESFET开关的等效电路模型和MESFET开关器件的设计考虑,以及材料参数和器件结构对开关性能的影响,并设计制作了6组不同栅宽的MESFET开关.应用Modeling建模软件,分别对6组不同栅宽的MESFET开关进行建模,提取出开关的等效电路模型参数;从参数分析中找到了其随栅宽的线性变化规律,根据此变化规律,可以实现对任意栅宽MESFET开关的定标.

GaAs MESFET开关模型的研究

讨论了开关 Ga As MESFET的开态模型和关态模型 ,介绍了利用高频器件建模软件 Modelling建立 Ga As MESFET开关模型的方法 ,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。

多栅GaAs MESFET开关的结构设计

论述了多栅开关的结构和特点 .针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析 ,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时 ,开关性能最优 。

宽带GaAs三栅MESFET开关模型

提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性 .器件测试值与模型模拟值吻合较好 .

GaAs MESFET开关模型

本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。

多栅GaAs MESFET开关

论述多栅开关的结构和特点。开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损 ,多栅开关由于其特殊的结构 ,很好地解决了这一问题。采用多栅结构 ,设计的移动通讯用 DPDT开关在 DC-2 GHz:IL<0 .75 d B,ISO>1 3 d B,VSWR<1 .5 ,P- 1 >1 0 W。开关芯片面积小、成品率高、封装成本低 ,适宜批量生产 ,并已在手机上试装成功。

基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试

为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接,通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试,最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示,1~8 GHz内,器件的插入损耗为-15~-35 dB,回波损耗为-15~-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。

半导体开关与RFMEMS开关性能分析与比较

为找出影响微波开关性能的参数及其开关的发展方向,从物理机理上分析和比较了半导体开关和RFMEMS(射频微电机械)开关的性能。提出了微波串联开关的理想模型,定义了开关的品质因数,应用器件物理理论和电容公式推出了半导体开关和MEMS开关的品质因数表达式,分析出影响开关性能的参数,提出改善的方法。通过相关权威测试的品质因数得出:RFMEMS开关比半导体开关具有更优的性能,与理论分析相一致。通过开关的性能比较,明确RFMEMS开关可广泛地应用到射频微波电路中,有好发展前景。

DC－40GHzMMIC开关

ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关叶禹康，俞土法，伍祥冰（南京电子器件研究所，２１００１６）提要＊用微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）技术设计制作了高隔离度、超快速ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关（ＳＰＳＴ）。开关采用串联、并联单元ＭＥＳＦＥＴ兼用的电路结构。芯片尺...

新颖的超小型多倍频程5位GaAs数字移相器

介绍一种新颖的超小型多倍频程5位GaAs MMIC数字移相器的设计、制造和性能。电路拓扑特定选择工艺参数变化对电性能影响最小的方案,22.5°和11.25°相移位采用共享一个兰格耦合器的电路拓扑,在5GHz～20GHz频率范围内,获得低峰值相移误差≤5°对180°、90°、45°相移位,≤2.5°对22.5°和11.25°相移位;低输入/输出驻波比≤1.8;低插入损耗起伏(1OdB±0.8dB)和小芯片尺寸(4.2mm×2.5mm×0.1mm)。

面向高频的GaAs开关电流镜设计

讨论了采用砷化镓场效应管对改进开关电流电路高频性能作用,采用砷化镓技术设计了电流镜电路,对电路主要的时钟匮入、电荷注入以及输出电导效应造成的误差原理及其补偿进行了分析,提出了一种新的包含共栅级联与虚拟开关技术的电流镜结构,工作频率可达到50MHz.仿真结果证明了电路是有效的.

一种新颖的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器(英文)

介绍了一种新颖的在5～20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计、制造和性能。选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑。在5～20GHz频率范围内，以展示出低的峰值相移误差（≤2°）；低的输入/输出驻波(≤1.5)和低插入损耗及起伏(≤(2.6±0.4)dB)。芯片尺寸为：4.2mm×0.46mm×0.1mm.