SiC-MESFET器件的夹断电压

考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法,计算的结果和实验值符合较好。

GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰 ,表明了GaAs外延层的晶体质量较好 .以此生长方法制备了金属 半导体场效应晶体管 (MESFET) ,其单位跨导可达 2 0 0ms mm .

半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究

用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中存在着相似的深能级 ,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器件中光敏现象的方法。

砷化镓MESFET器件的模拟

对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的工艺作了具体分析，认为模拟 的关键是要正确描述注入原子的激活率，适移率，载原子分布及再分布，针对这几个问题，以实验结果为依据对ＰＩＳＣＥＳＩ－Ａ模拟程序作了改进，这个改进证明是成功的。

砷化镓MESFET器件的电路模拟

鉴于器件模拟参数在电路模拟中的重要性，本文选择了较为理想的模型参数提取方法─统计试验法，并从理论上解决了该方法在迭代求解过程中存在的隐函数问题，以及解的唯一性问题。同时提出了加速求解的方法，在此基础上设计的软件可获得精确的器件模型参数。该软件与通用的ＳＰＩＣＥ３集成为一个针对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的电路模拟系统。本文给出了该系统对不同的电路形式在不同的器件参数下的模拟结果，为我们的ＧａＡｓ６００门门阵列，四位同步计数器电路等课题的成功研制，发挥了重要的作用。

科锐推出S波段GaN器件,实现雷达应用的效率最大化

科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S渡段雷达中的高效GaNHEMT晶体管。新型S波段GaNHEMT晶体管的额定功率为60W，频率为3．1—3．5GHz之间，与传统Si或GaAsMESFET器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70％）。同时，高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求，并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。