用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验

为给上海电子束离子阱（Electron Beam Ion Traps，EBIT）装置提供低电荷离子，我们研制了小型金属蒸汽真空弧（Metal Vapor Vacuum Arc，MEVVA）离子源，可产生多种金属以及半导体材料的低电荷离子。本文介绍小型MEVVA离子源的特性及其在上海EBIT装置上的离子注入实验。实验结果显示，合理控制注入参数可以使注入并被束缚在EBIT中的离子数密度达到10^8～10^9／cm^3。

聚焦慢速高荷态重离子束微束斑X射线源

利用电子束离子源 (EBIS)或者电子束离子陷阱 (EBIT)产生的慢速高电荷态重离子束轰击金属靶面 ,离子束与靶面作用并复合辐射特征 X射线 ;并将高荷态离子束采用离子光学系统会聚为微细束后再与靶面作用 ,能够辐射出微米甚至亚微米级、纳米级的微束斑 X射线。本文介绍这一新型微束斑 X射线源的结构、机理及其特性等。

上海EBIT装置微量气体注入系统的研制

本文介绍了上海电子束离子阱(EBIT)装置微量气体注入系统的成功研制。文中阐述了该系统的总体设计,并运用Maxwellian速度分布理论及几何光学模型描述和分析了整个注入过程,重点计算了注气效率和中心漂移管处分子密度。现已投入运行,实验证明达到了设计指标,满足了实验使用要求。