MEVVA注入法合成SiC/Si异质结构的椭偏光谱研究

利用ＭＥＶＶＡ（ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ）离子源进行离子束合成，制备了Ｃ＋离子注入单晶Ｓｉ衬底的样品，并利用椭偏光谱法研究了退火和未退火两种情况．椭偏光谱测量波长范围为４００～２０００ｎｍ．通过对所测量样品的椭偏光谱数据分析，可得到离子束合成ＳｉＣ／Ｓｉ异质结构的多层膜结构．椭偏光谱法的测量结果证实：退火样品形成了ＳｉＣ埋层，即使进行高温、长时间退火处理。