MEXTRAM504模型及其对SiGe HBT的模拟

针对传统SGP模型的不足,介绍了一种新型的BJT模型MEXTRAM504及其等效电路,与传统模型相比,MEX-TRAM显示了极高的准确度。由于特别增加了描述基区缓变和基区载流子复合的两个参数,使MAXTRAM适合模拟加入SiGe工艺技术的HBT,模拟曲线与Medici的模拟相当吻合,为射频器件设计和电路模拟奠定了良好的基础。