期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响 被引量:4
1
作者 薛俊明 侯国付 +4 位作者 王雅欣 段苓伟 刘丽杰 赵颖 耿新华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期426-429,共4页
用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时... 用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法。当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上。 展开更多
关键词 中频脉冲 znoal透明导电膜 磁控溅射 靶电压
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部