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用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响
被引量:
4
1
作者
薛俊明
侯国付
+4 位作者
王雅欣
段苓伟
刘丽杰
赵颖
耿新华
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期426-429,共4页
用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时...
用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法。当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上。
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关键词
中频脉冲
zno
∶
al
透明导电膜
磁控溅射
靶电压
下载PDF
职称材料
题名
用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响
被引量:
4
1
作者
薛俊明
侯国付
王雅欣
段苓伟
刘丽杰
赵颖
耿新华
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
光电信息技术科学教育部重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期426-429,共4页
基金
国家重点基础研究发展规划"973"项目(No.2006CB202602
No.2006CB202603)
+1 种基金
天津市重点科技攻关项目(No.06YFGZGX02100)
天津市自然科学重点基金项目(No.06YFJZJC01700)
文摘
用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法。当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上。
关键词
中频脉冲
zno
∶
al
透明导电膜
磁控溅射
靶电压
Keywords
mf pulse
,
zno: al film
,
magnetron-sputtering
,
target voltage
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响
薛俊明
侯国付
王雅欣
段苓伟
刘丽杰
赵颖
耿新华
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
4
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职称材料
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