CdSe核辐射探测器中的MIS接触电极

对 MIS(金属 -绝缘体 -半导体 )接触电极的特性进行了系统的分析和实验观察 .结果表明 ,负极的电子可以通过表面能级和热激发注入到 Cd Se晶片中 ,且晶片表面的电子能级密度越高 ,电子注入就越快 ,探测器的漏电流也越大 .对探测器进行适当的热处理 ,可以降低表面能级密度 ,从而抑制电子注入 ,降低探测器的漏电流 ,改善探测器的能量分辨率 .

电子注入对CdSe探测器性能的影响

研究了一种制作CdSe室温核辐射探测器的新工艺 ,并通过对CdSe室温核辐射探测器MIS接触电极电子注入机理的研究发现 ,CdSe探测器形成MIS接触电极可以降低表面漏电流 ,减小探测器噪声 ,提高探测器能量分辨率 .制备出的CdSe室温核辐射探测器对2 4 1Am 5 9.5keV和10 9Cd87keVγ射线的能量分辨率分别为 9.6 %和 7.5 % .