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基于MK.1TE测试系统对芯片静电放电(ESD)测试分析
被引量:
1
1
作者
吕友成
陈仲永
+1 位作者
聂帆宇
叶武剑
《现代信息科技》
2021年第18期35-39,共5页
ESD是指"静电释放"。静电是一种客观的自然现象,不均匀分布在芯片本身、人体和机器上以及芯片能够存在的环境及周围的事物上。这些静止的电荷随时都可能通过某种方式释放出来。静电释放的特点是高电压、低电量、小电流和作用...
ESD是指"静电释放"。静电是一种客观的自然现象,不均匀分布在芯片本身、人体和机器上以及芯片能够存在的环境及周围的事物上。这些静止的电荷随时都可能通过某种方式释放出来。静电释放的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短。随着电子学系统和集成电路,比如专用集成电路(ASIC)或"片上系统(SOC)"的复杂度增加,测试和分析集成电路对静电释放的防护能力是非常重要的。该文将介绍集成电路产品基于MK.1TE测试系统的ESD测试方法和分析。
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关键词
静电放电
ESD
mk.1te测试系统
ESD击穿的临界电压
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职称材料
题名
基于MK.1TE测试系统对芯片静电放电(ESD)测试分析
被引量:
1
1
作者
吕友成
陈仲永
聂帆宇
叶武剑
机构
广州星海集成电路基地有限公司
广东工业大学
出处
《现代信息科技》
2021年第18期35-39,共5页
基金
广东省重大科技专项(2018B01 0115002、2019B010140002)。
文摘
ESD是指"静电释放"。静电是一种客观的自然现象,不均匀分布在芯片本身、人体和机器上以及芯片能够存在的环境及周围的事物上。这些静止的电荷随时都可能通过某种方式释放出来。静电释放的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短。随着电子学系统和集成电路,比如专用集成电路(ASIC)或"片上系统(SOC)"的复杂度增加,测试和分析集成电路对静电释放的防护能力是非常重要的。该文将介绍集成电路产品基于MK.1TE测试系统的ESD测试方法和分析。
关键词
静电放电
ESD
mk.1te测试系统
ESD击穿的临界电压
Keywords
electrostatic discharge
ESD
mk.
1
te
te
st sys
te
m
critical voltage of ESD breakdown
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于MK.1TE测试系统对芯片静电放电(ESD)测试分析
吕友成
陈仲永
聂帆宇
叶武剑
《现代信息科技》
2021
1
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