抗干扰用MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器的tgδ

以X2类MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器为例分析了影响该类电容器tg■的主要因素。指出薄膜的方阻大小、芯子的错边、喷金粒子的大小、喷金前芯子端面上的灰尘是导致电容器芯子在经过赋能、成品耐电压试验、脉冲电压试验后tg■变大的主要原因。在这类电容器制造过程中应严格控制这些因素。