期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
单片低噪声HBT VCO
被引量:
3
1
作者
陈新宇
林金庭
陈效建
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期269-274,共6页
报道一组单片HBTVCO电路的设计、制作及其测试结果。电路采用HBT作为有源器件,PN结二极管作为变容管。S波段单片VCO的输出功率为0dBm,调谐范围100MHz,在载波频率2.84GHz处,相位噪声为-80dBc/Hz@100kHz。以C波段单片HBTVCO的输...
报道一组单片HBTVCO电路的设计、制作及其测试结果。电路采用HBT作为有源器件,PN结二极管作为变容管。S波段单片VCO的输出功率为0dBm,调谐范围100MHz,在载波频率2.84GHz处,相位噪声为-80dBc/Hz@100kHz。以C波段单片HBTVCO的输出功率为-10dBm。这些结果表示HBT在微波与毫米波振荡器运用中具有较好的低相位噪声特性。
展开更多
关键词
异质结晶体管
压控振荡器
微波集成电路
hbt
下载PDF
职称材料
基于负阻MMIC的新型VCO研制
被引量:
9
2
作者
郭文胜
陈君涛
邓海丽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期909-912,933,共5页
提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作。利用微封装技术将二者结合构成完整的VCO。这种新型VCO既具有单片微波集成电路的小...
提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作。利用微封装技术将二者结合构成完整的VCO。这种新型VCO既具有单片微波集成电路的小型化、低成本的优势,又保持了薄膜混合集成电路可灵活调试的特性。通过设计流片数款在不同频段的负阻单片微波集成电路,可完成频率1~18 GHz、小型化、系列化VCO的研制。X波段宽带VCO的实测结果显示,当电调电压在2~13 V变化时输出频率覆盖8~12.5 GHz,调谐线性度为2∶1,电调电压5 V时相位噪声为-96 dBc/Hz@100 kHz。
展开更多
关键词
负阻单片微波集成电路(
mmic
)
压控振荡器
砷化镓异质结三极管
相位噪声
小型化
下载PDF
职称材料
面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器(英文)
被引量:
1
3
作者
陈立强
张健
+2 位作者
李志强
陈普锋
张海英
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期823-828,共6页
介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17~4.56GHz...
介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17~4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为-112dBc/Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为0~2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为-173.2dBc/Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法.
展开更多
关键词
压控振荡器
单片微波集成电路
无线通信
InGaP/GaAs异质结双极晶体管
下载PDF
职称材料
题名
单片低噪声HBT VCO
被引量:
3
1
作者
陈新宇
林金庭
陈效建
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期269-274,共6页
文摘
报道一组单片HBTVCO电路的设计、制作及其测试结果。电路采用HBT作为有源器件,PN结二极管作为变容管。S波段单片VCO的输出功率为0dBm,调谐范围100MHz,在载波频率2.84GHz处,相位噪声为-80dBc/Hz@100kHz。以C波段单片HBTVCO的输出功率为-10dBm。这些结果表示HBT在微波与毫米波振荡器运用中具有较好的低相位噪声特性。
关键词
异质结晶体管
压控振荡器
微波集成电路
hbt
Keywords
mmic hbt vco
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于负阻MMIC的新型VCO研制
被引量:
9
2
作者
郭文胜
陈君涛
邓海丽
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
石家庄信息工程职业学院通信工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期909-912,933,共5页
文摘
提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作。利用微封装技术将二者结合构成完整的VCO。这种新型VCO既具有单片微波集成电路的小型化、低成本的优势,又保持了薄膜混合集成电路可灵活调试的特性。通过设计流片数款在不同频段的负阻单片微波集成电路,可完成频率1~18 GHz、小型化、系列化VCO的研制。X波段宽带VCO的实测结果显示,当电调电压在2~13 V变化时输出频率覆盖8~12.5 GHz,调谐线性度为2∶1,电调电压5 V时相位噪声为-96 dBc/Hz@100 kHz。
关键词
负阻单片微波集成电路(
mmic
)
压控振荡器
砷化镓异质结三极管
相位噪声
小型化
Keywords
negative resistance
mmic
voltage controlled oscillator(
vco
)
GaAs
hbt
phase noise
miniature
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器(英文)
被引量:
1
3
作者
陈立强
张健
李志强
陈普锋
张海英
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期823-828,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:60276021)
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~
文摘
介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17~4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为-112dBc/Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为0~2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为-173.2dBc/Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法.
关键词
压控振荡器
单片微波集成电路
无线通信
InGaP/GaAs异质结双极晶体管
Keywords
vco
mmic
wireless communication
InGaP/GaAs
hbt
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单片低噪声HBT VCO
陈新宇
林金庭
陈效建
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
3
下载PDF
职称材料
2
基于负阻MMIC的新型VCO研制
郭文胜
陈君涛
邓海丽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
9
下载PDF
职称材料
3
面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器(英文)
陈立强
张健
李志强
陈普锋
张海英
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部